处理液、图案形成方法技术

本发明专利技术提供一种处理液，当所述处理液使用于抗蚀剂膜的显影和清洗中的至少一种处理时，解析性优异、薄膜化抑制性优异且残渣抑制性优异。并且，提供一种有关上述处理液的图案形成方法。本发明专利技术的处理液是一种用于对由感光化射线或感放射线性组合物获得的抗蚀剂膜进行显影和清洗中的至少一种处理且包含有机溶剂的抗蚀剂膜图案化用处理液，所述处理液包含满足规定条件的第一有机溶剂、满足规定条件的第二有机溶剂。有机溶剂。有机溶剂。

Treatment solution and pattern forming method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】处理液、图案形成方法


[0001]本专利技术涉及一种抗蚀剂膜图案化用处理液及图案形成方法。
[0002]更详细而言，本专利技术涉及一种用于IC(Integrated Circuit、积体电路)等半导体制造工序、液晶及热能头等的电路基板的制造以及其他感光蚀刻加工的微影工序等中的处理液及图案形成方法。

技术介绍

[0003]以往，在IC(Integrated Circuit、积体电路)及LSI(Large Scale In tegrated ircuit、大规模积体电路)等半导体器件的制造工序中，通过使用光阻组合物的微影来进行微细加工。近年来，随着积体电路的高积体化，要求形成次微米区域及四分的一微米区域的超微细图案。随此，曝光波长也呈现如从g射线到i射线，进一步到KrF准分子激光光这样短波长化的倾向。进而，当前除了准分子激光光以外，使用了电子束、X射线或EUV光(Extreme Ultra Violet，极紫外线)的微影也正在进行开发。
[0004]在这种微影中，通过感光化射线或感放射线性组合物(也被称为抗蚀剂组合物)形成膜(抗蚀剂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种处理液，其为用于对由感光化射线或感放射线性组合物获得的抗蚀剂膜进行曝光后的显影及清洗中的至少一种处理的抗蚀剂膜图案化用处理液，所述处理液包含：满足下述条件A的第一有机溶剂及满足下述条件B的第二有机溶剂，条件A：由式(1)求出的SP值为15.0MPa
1/2
以上且小于16.5MPa
1/2
，并且为烃类溶剂、酯类溶剂、醚类溶剂或碳酸酯类溶剂式(1)：SP值＝((δd)2+(δp)2+(δh)2)
0.5
SP值：有机溶剂的汉森溶解度参数δd：有机溶剂的分散项δp：有机溶剂的极性项δh：有机溶剂的氢键项条件B：由所述式(1)求出的SP值为16.5MPa
1/2
以上且小于17.6MPa
1/2
，由式(2)求出的X为7.0以上且小于20.0，并且为烃类溶剂、酯类溶剂、醚类溶剂或碳酸酯类溶剂式(2)：X＝(δp)2/((δd)2+(δp)2+(δh)2)
×
100。2.根据权利要求1所述的处理液，其中，所述第一有机溶剂为碳数6～12的醚类溶剂。3.根据权利要求1或2所述的处理液，其中，所述第二有机溶剂为碳数5～8的酯类溶剂或碳数5～9的碳酸酯类溶剂。4.根据权利要求1至3中任一项所述的处理液，其中，所述第一有机溶剂为具有支链状的烷基的碳数6～12的醚类溶剂。5.根据权利要求1至4中任一项所述的处理液，其中，所述第二有机溶剂为具有支链状的烷基的碳数5～8的酯类溶剂。6.根据权利要求1至5中任一项所述的处理液，其中，所述第一有机溶剂选自二异丙基醚、二...

【专利技术属性】
技术研发人员：土桥彻，高桥智美，清水哲也，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：