【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子器件和用于制造光电子器件的方法
[0001]提供一种光电子器件和用于制造光电子器件的方法。
[0002]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种光电子器件，所述光电子器件尤其在电流密度较小的情况下具有较高并且稳定的功效。本专利技术所要解决的另一技术问题在于，提供一种用于制造这种光电子器件的方法。
[0003]所述技术问题主要通过独立权利要求的器件和方法解决。有利的设计方案和扩展设计是从属权利要求的技术方案。
[0004]首先提供一种光电子器件。所述光电子器件例如是LED阵列、尤其是2D的LED阵列(LED
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array)或者视频屏幕的模块。所述器件例如可以使用在用于机动车的前大灯中或者移动电话中的背景照明中或者室内照明中或者屏幕中。
[0005]按照至少一个实施方式，光电子器件包括载体。所述载体优选是自承式的并且形成稳定所述器件的部件。载体例如是半导体载体或者陶瓷载体或者玻璃载体或者塑料载体、例如PCB。
[0006]按照至少一个实施方式，所述光电子器件在载体上包括多个能够被单独地并且独立地驱...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电子器件(100)，包括：
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载体(8)，
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在载体(8)上的多个能够被单独地并且独立地驱动的光电子的半导体芯片(1)，其中，
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每个半导体芯片(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有n型掺杂层(20)、p型掺杂层(21)、在p型掺杂层(21)与n型掺杂层(20)之间用于借助电致发光产生辐射的有源区(22)和侧表面(25)，所述侧表面横向于有源区(22)地延伸并且沿横向方向界定半导体层序列(2)，以及每个半导体芯片(1)包括用于电接触所述p型掺杂层(21)和所述n型掺杂层(20)的p型电极(31)和n型电极(30)，
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半导体芯片(1)在半导体层序列(2)的相应的侧表面(25)上分别具有电绝缘的钝化层(4)，
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至少一些半导体芯片(1)配属于第一组(11)，
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第一组(11)的半导体芯片(1)配置有一个共同的边缘场产生装置(5)，所述边缘场产生装置在第一组(11)的每个半导体芯片(1)中在钝化层(4)的背离半导体层序列(2)的一侧上布置在有源区(22)的高度上，
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边缘场产生装置(5)设置用于，至少暂时地在有源区(22)的边缘区域(52)中产生电场，因此在第一组(11)的半导体芯片(1)运行时在边缘区域(52)中流动通过半导体层序列(2)的电流能够被控制，
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第一组(11)的半导体芯片(1)分别设置用于发射第一波长范围的电磁辐射，
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一些半导体芯片(1)配属于第二组(12)，
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第二组(12)的半导体芯片(1)分别设置用于发射不同于第一波长范围的第二波长范围的辐射，
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第二组(11)的半导体芯片(1)配置有一个共同的边缘场产生装置(5)，所述边缘场产生装置在第二组(12)的每个半导体芯片(1)中在钝化层(4)的背离半导体层序列(2)的一侧上布置在有源区(22)的高度上，
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第一组(11)的半导体芯片(1)的钝化层(4)具有不同于第二组(12)的半导体芯片(1)的钝化层的厚度，并且
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第一组(11)的半导体芯片(1)和第二组(12)的半导体芯片(1)配置有相同的共同的边缘场产生装置(5)。2.按照权利要求1所述的光电子器件(100)，其中，
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半导体芯片(1)相互间隔地布置在载体(8)上，
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第一组(11)的半导体芯片(1)的共同的边缘场产生装置(5)包括相连电极(33)，
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所述相连电极(33)在第一组(11)的每个半导体芯片(1)中至少在有源区(22)的高度上覆盖钝化层(4)。3.按照权利要求2所述的光电子器件(100)，其中，
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第一组(11)的半导体芯片(1)之间的间隙至少部分地填充有导电材料(50)，
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相连电极(33)包括所述导电材料(50)。4.按照权利要求1所述的光电子器件(100)，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：M宾德，A鲁克尔，R蔡塞尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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