本申请提供一种高频高压电源及其开关驱动装置，高频高压电源的开关驱动装置包括驱动模块、连接模块以及分别与驱动模块和连接模块连接的开关模块，开关模块包括至少两个开关元件，每个开关元件包括第一连接端、第二连接端和第三连接端，第一连接端与第二连接端之间并联有用于降压的降压元件。该高频高压电源的开关驱动装置通过在每个开关元件的第一连接端和第二连接端之间并联降压元件，使得该高频高压电源的开关驱动装置在电源关断过程中，若有强电经过开关元件的第二连接端时，降压元件将开关元件的第一连接端电压值拉低使得该端电压低于开关元件导通电压，降低开关元件误导通的风险。的风险。的风险。
【技术实现步骤摘要】
一种高频高压电源及其开关驱动装置
[0001]本申请属于电源
，尤其涉及一种高频高压电源及其开关驱动装置。
技术介绍
[0002]随着工业领域技术的高速发展，对高频脉冲电源需求日益迫切。工业常规用电频率为50HZ工频交流电，要想将之转换为高频脉冲输出，常规做法是将工频交流电先整流，再根据需求频率要求进行逆变处理。逆变处理涉及到高速高压半导体开关，常见的高速高压半导体开关如IGBT、SIC和/或MOSFET，其在关断过程中母线强电易通过半导体开关内部寄生的漏极、栅极耦合电容干扰驱动信号，导致驱动异常，半导体开关损坏。
技术实现思路
[0003]本申请的一个实施例提供一种高频高压电源及其开关驱动装置，以解决现有高频率大功率电源设备在强电运行过程中，存在其驱动开关易受强电干扰异常，导致供电异常的问题。
[0004]第一方面，本申请的一个实施例提供一种高频高压电源的开关驱动装置，包括驱动模块、连接模块以及分别与所述驱动模块和所述连接模块连接的开关模块，所述开关模块包括至少两个开关元件，每个所述开关元件包括第一连接端、第二连接端和第三连接端，一个所述开关元件的所述第一连接端与所述第二连接端之间并联有用于降压的降压元件。
[0005]可选的，所述降压元件为电阻。
[0006]可选的，所述连接模块上设置有至少3个连接接口，3个所述连接接口分别为第一连接接口、第二连接接口和第三连接接口，所述第一连接接口与每个所述开关元件的第二连接端连接，所述第二连接接口与每个所述开关元件的第一连接端连接，所述第三连接接口与每个所述开关元件的第三连接端连接。
[0007]可选的，所述开关元件为IGBT器件或MOS管，所述开关元件的第二连接端为IGBT器件的集电极或MOS管的源极，所述开关元件的第一连接端为IGBT 器件的基极或MOS管的栅极，所述开关元件的第三连接端为IGBT器件的发射极或MOS管的漏极。
[0008]可选的，该高频高压电源的开关驱动装置包括过流保护元件，所述过流保护元件设置在所述驱动模块与每个所述开关元件的第三连接端之间，所述过流保护元件包括串联连接的第五电阻、第二二极管和第三二极管。
[0009]可选的，该高频高压电源的开关驱动装置包括用于驱动所述开关元件运行的驱动电阻，所述驱动电阻与每个所述开关元件的第三连接端连接，所述驱动电阻包括两个串联连接的电阻。
[0010]可选的，该高频高压电源的开关驱动装置包括供电模块，所述供电模块用于至少给所述驱动模块和所述开关模块供电。
[0011]可选的，所述供电模块包括与市电连接的供电连接端、与所述供电连接端连接的整流元件、与所述整流元件连接的调频元件以及与所述调频元件连接的电源输出端。
[0012]可选的，所述调频元件包括与所述整流元件连接的电源开关和变压器。
[0013]第二方面，本申请的一个实施例提供一种电源，包括上述的高频高压电源的开关驱动装置。
[0014]本申请的一个实施例提供的高频高压电源及其开关驱动装置，该高频高压电源的开关驱动装置包括驱动模块、连接模块以及分别与驱动模块和连接模块连接的开关模块，开关模块包括至少两个开关元件，每个开关元件包括第一连接端、第二连接端和第三连接端，第一连接端与第二连接端之间并联有用于降压的降压元件。该高频高压电源的开关驱动装置通过在每个开关元件的第一连接端和第二连接端之间并联降压元件，使得该高频高压电源的开关驱动装置在电源关断过程中，若有强电经过开关元件的第二连接端时，降压元件将开关元件的第一连接端电压值拉低使得该端电压低于开关元件导通电压，降低开关元件误导通的风险，解决了现有高频率大功率电源设备在强电运行过程中，存在其驱动开关易受强电干扰异常，导致供电异常的问题。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请的一个实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对本领域技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]为了更完整地理解本申请及其有益效果，下面将结合附图来进行说明。其中，在下面的描述中相同的附图标号表示相同部分。
[0017]图1为本申请的一个实施例提供的高频高压电源的开关驱动装置的电路示意图。
[0018]图2为本申请的一个实施例提供的高频高压电源的开关驱动装置供电模块的电路示意图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本申请的一个实施例中的附图，对本申请的一个实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0020]本申请的一个实施例提供一种高频高压电源及其开关驱动装置，以解决现现有高频率大功率电源设备在强电运行过程中，存在其驱动开关易受强电干扰异常，导致供电异常的问题。
[0021]本申请的一个实施例提供的高频高压电源及其开关驱动装置，示例性的，请参阅图1和图2，图1为本申请的一个实施例提供的高频高压电源的开关驱动装置的电路示意图，图2为本申请的一个实施例提供的高频高压电源的开关驱动装置供电模块的电路示意图。
[0022]实施例一：
[0023]如图1所示，本申请的一个实施例提供一种高频高压电源的开关驱动装置包括驱动模块10、连接模块20以及分别与驱动模块10和连接模块20连接的开关模块30，开关模块30包括至少两个开关元件，每个开关元件包括第一连接端、第二连接端和第三连接端，一个
开关元件的第一连接端与第二连接端之间并联有用于降压的降压元件40。
[0024]进步一说明的是，该高频高压电源的开关驱动装置通过在每个开关元件的第一连接端和第二连接端之间并联降压元件40，使得该高频高压电源的开关驱动装置在电源关断过程中，若有强电经过开关元件的第二连接端时，降压元件 40将开关元件的第一连接端电压值拉低使得该端电压低于开关元件导通电压，降低开关元件误导通的风险。避免现有的在开关元件正常工作情况下，如开关元件的导通信号高电平20V、低电平
‑
5V的PWM信号驱动。若关断给开关元件的驱动电源，电源通过开关元件内部第一连接端与第三连接之间的寄生电容将强电串至开关元件的第一连接端，导致本应关闭的开关元件的第一连接端和第二连接端之间的电压达到导通条件；若开关模块30中所有开关元件处于导通状态，540V驱动电源将直接作用在开关模块30所有开关元件上，开关元件的第一连接端与第三连接端之间的二极管将直接被击穿，从而损坏开关元件。
[0025]进步一说明的是，驱动模块10主要用于给出高电平或低电平信号驱动开关模块30中所有开关元件导通或关闭。在本实施例中，驱动模块10包括驱动芯片U1，驱动芯片U1优先选为HCPL316型号的驱动芯片。
[0026]进步本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高频高压电源的开关驱动装置，其特征在于，包括驱动模块、连接模块以及分别与所述驱动模块和所述连接模块连接的开关模块，所述开关模块包括至少两个开关元件，每个所述开关元件包括第一连接端、第二连接端和第三连接端，一个所述开关元件的所述第一连接端与所述第二连接端之间并联有用于降压的降压元件。2.根据权利要求1所述的高频高压电源的开关驱动装置，其特征在于，所述降压元件为电阻。3.根据权利要求1所述的高频高压电源的开关驱动装置，其特征在于，所述连接模块上设置有至少3个连接接口，3个所述连接接口分别为第一连接接口、第二连接接口和第三连接接口，所述第一连接接口与每个所述开关元件的第二连接端连接，所述第二连接接口与每个所述开关元件的第一连接端连接，所述第三连接接口与每个所述开关元件的第三连接端连接。4.根据权利要求1所述的高频高压电源的开关驱动装置，其特征在于，所述开关元件为IGBT器件或MOS管，所述开关元件的第二连接端为IGBT器件的集电极或MOS管的源极，所述开关元件的第一连接端为IGBT器件的基极或MOS管的栅极，所述开关元件的第三连接端为IGBT器件的发射极或MOS管的漏极。5...
【专利技术属性】
技术研发人员：范承，吴猛，钟元海，
申请(专利权)人：佛山诺亚电器有限公司，
类型：新型
国别省市：
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