一种水晶能量管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种水晶能量管及其制备方法，包括管体、内腔体、凸块和隔层，所述管体内开设有内腔体，且内腔体通过凸块与隔层连接，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅60

【技术实现步骤摘要】
一种水晶能量管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及全息成像
，具体为一种水晶能量管及其制备方法。

技术介绍

[0002]由于太赫兹光子能保持化学键和电离/原子的完整性，它对生命体是无害，所以太赫兹成像技术在医学检测和诊断中的应用有无限的可能性和机会，使人们可以看到物理对象中不可见/可见和可视化的内部信息。太赫兹辐射是无电离的并且不是高度分散在组织里(与光学辐射大不相同)。此外，太赫兹辐射对水具有独特的灵敏度。现有的太赫兹波主要从太赫兹石中产生，而太赫兹石主要指太赫兹矿石，成本高，开采不易，针对上述情况，我们推出了一种水晶能量管及其制备方法。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种水晶能量管及其制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种水晶能量管及其制备方法，包括管体、内腔体、凸块和隔层，所述管体内开设有内腔体，且内腔体通过凸块与隔层连接，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅60
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80份、稀土元素氧化物5
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10，由以下重量配比的原料制得二氧化硅50、稀土元素氧化物3。
[0005]优选的，所述内腔体通过凸块与隔层构成卡合拆卸结构。
[0006]优选的，一种水晶能量管的制备方法，该方法如下，二氧化硅放入熔炼炉中进行升温熔炼，升温至1600
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1700℃后断电，投入稀土元素氧化物，通过自身升温，升温至1800
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1900℃后，边排气边通电加热，升温至2800
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2900℃后，熔炼结束，投入各种型号的磨具拉各种规格的水晶能量管。
[0007]优选的，所述的第一次升温温度为1600℃，第二次升温温度为1700℃，第三次升温温度为2800℃。
[0008]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：该水晶能量管，通过在晶体硅中加入稀土元素氧化物，利用稀土元素氧化物元素的原子和离子具有特殊的电磁性能，将其二氧化硅中可引入新的活性位置提高光催化活性，并且降低二氧化硅的融化点同时,稀土元素氧化物离子掺杂能够改二氧化硅的能量级结构,从而引起其光电性质的重大改变，有利于激发太赫兹的释放，制得水晶能量管，该水晶能量管在使用过程中只需经30
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50℃的热导就能产生0.1THz
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7THz的太赫兹波，通过凸块的卡合作用将隔层与内腔体之间限位连接，同时也便于隔层与内腔体之间拆装。
附图说明
[0009]图1为本专利技术主视结构示意图。
[0010]图中：1、管体；2、内腔体；3、凸块；4、隔层。
具体实施方式
[0011]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0012]请参阅图1，本专利技术提供技术方案：一种水晶能量管及其制备方法，包括管体1、内腔体2、凸块3和隔层4，管体1内开设有内腔体2，且内腔体2通过凸块3与隔层4连接，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅60
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80份、稀土元素氧化物5
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10，由以下重量配比的原料制得二氧化硅50、稀土元素氧化物3，内腔体2通过凸块3与隔层4构成卡合拆卸结构，通过凸块3的卡合作用将隔层4与内腔体2之间限位连接，同时也便于隔层4与内腔体2之间拆装，一种水晶能量管的制备方法，该方法如下，二氧化硅放入熔炼炉中进行升温熔炼，升温至1600
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1700℃后断电，投入稀土元素氧化物，通过自身升温，升温至1800
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1900℃后，边排气边通电加热，升温至2800
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2900℃后，熔炼结束，投入各种型号的磨具拉各种规格的水晶能量管，的第一次升温温度为1600℃，第二次升温温度为1700℃，第三次升温温度为2800℃。
[0013]实施例1，一种水晶能量管及其制备方法，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅70、稀土元素氧化物2。
[0014]实施例2，一种水晶能量管及其制备方法，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅80、稀土元素氧化物5。
[0015]实施例3，一种水晶能量管及其制备方法，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅75、稀土元素氧化物3。
[0016]实施例4，一种水晶能量管及其制备方法，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅60、稀土元素氧化物2。
[0017]实施例5，一种水晶能量管及其制备方法，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅85、稀土元素氧化物5。
[0018]实施例6，一种水晶能量管及其制备方法，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅60、稀土元素氧化物5。
[0019]实施例7，一种水晶能量管及其制备方法，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅50、稀土元素氧化物3。
[0020]实施例8，一种水晶能量管及其制备方法，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅40、稀土元素氧化物2。
[0021]实施例9，一种水晶能量管及其制备方法，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅60、稀土元素氧化物5。
[0022]实施例10，一种水晶能量管及其制备方法，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅50、稀土元素氧化物3。
[0023]实施例11，一种水晶能量管及其制备方法，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅40、稀土元素氧化物2。
[0024]实施例12一种水晶能量管及其制备方法，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅60、稀土元素氧化物5。
[0025]实施例13，一种水晶能量管及其制备方法，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅
50、稀土元素氧化物3。
[0026]实施例14，一种实施例1
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14太赫兹石的制备方法，其方法如下，先将晶体硅废料放入熔炼炉中进行升温熔炼，升温至1600℃后断电，投入稀土元素氧化物，通过自身升温，升温至1780℃后，边排气边通电加热，升温至2850℃后，熔炼结束，将熔融物倒入坩埚中冷却定型，制得水晶能量管.
[0027]实施例15，一种实施例1
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15水晶能量管的制备方法，其方法如下，先将晶体硅废料放入熔炼炉中进行升温熔炼，升温至1700℃后断电，投入稀土元素氧化物，通过自身升温，升温至1790℃后，边排气边通电加热，升温至2850℃后，熔炼结束，将熔融物倒入坩埚中冷却定型，制得水晶能量管。
[0028]实施例16，一种实施例1
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15太赫兹石的制备方法，其方法如下，先将晶体硅废料放入熔炼炉中进行升温熔炼，升温至1650℃后断电，投入稀土元素氧化物，通过自身升温，升温至1790℃后，边排气边通电加热，升温至2990℃后，熔炼结束，将熔融物倒入坩埚中冷却定型，制得水晶能量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种水晶能量管，包括管体(1)、内腔体(2)、凸块(3)和隔层(4)，其特征在于：所述管体(1)内开设有内腔体(2)，且内腔体(2)通过凸块(3)与隔层(4)连接，由以下重量配比的原料制得：二氧化硅60
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80份、稀土元素氧化物5
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10，由以下重量配比的原料制得二氧化硅50、稀土元素氧化物3。2.根据权利要求1所述的一种水晶能量管，其特征在于：所述内腔体(2)通过凸块(3)与隔层(4)构成卡合拆卸结构。3.根据权利要求1所述的一种水晶能量管的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：周广，向仁章，
申请(专利权)人：周广，
类型：发明
国别省市：