【技术实现步骤摘要】
Micro
‑
LED显示芯片及其制作方法和相关设备
[0001]本专利技术涉及发光显示
，具体涉及一种Micro
‑
LED显示芯片及其制作方法和相关设备。
技术介绍
[0002]随着微型LED(Micro
‑
LED)显示技术的出现，使得显示设备如增强现实(Augmented Reality，简称AR)显示设备、近眼显示(Near
‑
eye display，简称NED)设备以及可穿戴显示设备等的微型化和高分辨率成为可能。但是，当前Micro
‑
LED显示设备的显示效果有待进一步提高。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本专利技术致力于提供一种Micro
‑
LED显示芯片及其制作方法和相关设备，以提高Micro
‑
LED显示设备的显示效果。
[0004]第一方面，本专利技术提供了一种Micro
‑
LED显示芯片，包括：
[0005]第一基板；
[0006]LED外延结构层，所述LED外延结构层位于所述第一基板上；所述LED外延结构层包括阵列排布的多个Micro
‑
LED单元，所述Micro
‑
LED单元与所述第一基板电连接并能够独立的被驱动，所述Micro
‑
LED单元的出光面背对所述第一基板；
[0007]光学器件层，所述光学器件层位于所述Micro
‑>LED单元的出光面；所述光学器件层包括多个光学器件，一个所述光学器件对应一个所述Micro
‑
LED单元设置，所述光学器件包括图形化的微结构；所述图形化的微结构用于调整所述Micro
‑
LED单元发出的光线的出射角度和出射面积。
[0008]第二方面，本专利技术提供了一种Micro
‑
LED显示芯片的制作方法，包括：
[0009]在第一基板上形成LED外延结构层；所述LED外延结构层包括阵列排布的多个Micro
‑
LED单元，所述Micro
‑
LED单元与所述第一基板电连接并能够独立的被驱动，所述Micro
‑
LED单元的出光面背对所述第一基板；
[0010]在所述Micro
‑
LED单元的出光面形成光学器件层；所述光学器件层包括多个光学器件，一个所述光学器件对应一个所述Micro
‑
LED单元设置，所述光学器件包括图形化的微结构；所述图形化的微结构用于调整所述Micro
‑
LED单元发出的光线的出射角度和出射面积。
[0011]第三方面，本专利技术提供了一种显示装置，包括如上任一项所述的Micro
‑
LED显示芯片。
[0012]第四方面，本专利技术提供了一种电子设备，包括如上任一项所述的Micro
‑
LED显示芯片或如上所述的显示装置。
[0013]本专利技术提供的Micro
‑
LED显示芯片及其制作方法和相关设备，第一基板上具有LED外延结构层和光学器件层，LED外延结构层包括多个Micro
‑
LED单元，光学器件层包括多个
光学器件，光学器件包括图形化的微结构，由于光学器件层位于Micro
‑
LED单元的出光面，每一个光学器件与一个Micro
‑
LED单元对应设置，且光学器件或者说图形化的微结构可以调整Micro
‑
LED单元发出的光线的出射角度和出射面积，以使Micro
‑
LED单元发出的光线尽可能多地从显示器件的出光面出射，因此，可以提高Micro
‑
LED显示芯片的出光量和出光效率，进而可以提高Micro
‑
LED显示芯片的显示效果。
附图说明
[0014]通过结合附图对本申请实施例进行更详细的描述，本申请的上述以及其他目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本申请实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请实施例一起用于解释本申请，并不构成对本申请的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。
[0015]图1为本专利技术一个实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片的俯视结构示意图；
[0016]图2为图1所示的Micro
‑
LED显示芯片沿切割线AA
’
的剖面结构示意图；
[0017]图3为本专利技术另一实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片的俯视结构示意图；
[0018]图4为本专利技术一个实施例提供的一种可能的光线传输路径示意图；
[0019]图5为本专利技术另一个实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片的俯视结构示意图；
[0020]图6为本专利技术另一个实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片的俯视结构示意图；
[0021]图7为本专利技术另一个实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片的俯视结构示意图；
[0022]图8为本专利技术另一个实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片的俯视结构示意图；
[0023]图9为本专利技术另一个实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片的俯视结构示意图；
[0024]图10为本专利技术另一个实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片的剖面结构示意图；
[0025]图11为本专利技术另一个实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片的剖面结构示意图；
[0026]图12为本专利技术另一个实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片的剖面结构示意图；
[0027]图13为本专利技术一个实施例提供的多个Micro
‑
LED单元的的俯视结构示意图；
[0028]图14为本专利技术一个实施例提供的LED外延结构层的俯视结构示意图；
[0029]图15为本专利技术另一个实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片的剖面结构示意图；
[0030]图16为本专利技术另一个实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片的剖面结构示意图；
[0031]图17为本专利技术一个实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片的制作方法的流程图；
[0032]图18至图30为本专利技术实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片在各制作流程中的剖面结构示意图；
[0033]图31为本专利技术另一实施例提供的Micro
‑
LED显示芯片的剖面结构示意图；
[0034]图32为本专利技术一个实施例提供的电子设备的结构示意图。
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Micro
‑
LED显示芯片，其特征在于，包括：第一基板；LED外延结构层，所述LED外延结构层位于所述第一基板上；所述LED外延结构层包括阵列排布的多个Micro
‑
LED单元，所述Micro
‑
LED单元与所述第一基板电连接并能够独立的被驱动，所述Micro
‑
LED单元的出光面背对所述第一基板；光学器件层，所述光学器件层位于所述Micro
‑
LED单元的出光面；所述光学器件层包括多个光学器件，一个所述光学器件对应一个所述Micro
‑
LED单元设置，所述光学器件包括图形化的微结构；所述图形化的微结构用于调整所述Micro
‑
LED单元发出的光线的出射角度和出射面积。2.根据权利要求1所述的Micro
‑
LED显示芯片，其特征在于，所述图形化的微结构包括多个柱状凸起；所述多个柱状凸起均匀分布在所述Micro
‑
LED单元的出光面。3.根据权利要求2所述的Micro
‑
LED显示芯片，其特征在于，所述柱状凸起在所述Micro
‑
LED单元的出光面的投影的形状为圆形或者正方形，且多个所述柱状凸起在所述Micro
‑
LED单元的出光面的投影阵列排布。4.根据权利要求2所述的Micro
‑
LED显示芯片，其特征在于，所述柱状凸起在所述Micro
‑
LED单元的出光面的投影为光栅状的条纹；多个所述柱状凸起在所述Micro
‑
LED单元的出光面的投影阵列排布。5.根据权利要求1所述的Micro
‑
LED显示芯片，其特征在于，所述光学器件层和所述LED外延结构层之间具有平坦化层，所述平坦化层覆盖所述多个Micro
‑
LED单元。6.根据权利要求1所述的Micro
‑
LED显示芯片，其特征在于，所述光学器件层的材料包括二氧化硅、三氧化二铝、氮化硅、Su
‑
8光刻胶或聚酰亚胺。7.根据权利要求1所述的Micro
‑
LED显示芯片，其特征在于，所述光学器件层包括多个间隔排列的第一部分和第二部分，所述第一部分为光学器件，所述第二部分为所述光学器件之间的间隔部分，所述间隔部分非光学器件，所述光学器件层一体成型。8.根据权利要求1所述的Micro
‑
LED显示芯片，其特征在于，所述第一基板和所述LED外延结构层之间具有键合层；所述Micro
‑
LED单元包括在所述第一基板上依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；多个所述Micro
‑
LED单元的第一半导体层连续设置；所述第一基板具有驱动电路以及与所述驱动电路电连接的多个驱动触点，一个驱动触点对应一个Micro
‑
LED单元；所述Micro
‑
LED单元还包括位于所述第二半导体层上的第一电极层；所述键合层和所述LED外延结构层具有暴露所述驱动触点的开口；所述第一电极层通过所述开口与所述驱动触点电连接。9.根据权利要求1所述的Micro
‑
LED显示芯片，其特征在于，还包括：波长转换层，所述波长转换层位于所述光学器件层的表面；所述波长转换层用于对所述Micro
‑
LED单元发出的光线进行波长转换。10.根据权利要求9所述的Micro
‑
LED显示芯片，其特征在于，所述波长转换层包括多个波长转换元件；任一所述波长转换元件在所述第一基板上的投影至少与一所述Micro
‑
LED单元在所述第一基板上的投影重叠；所述波长转换元件至少包括第一波长转换元件，所述第一波长转换元件用于将所述
Micro
‑
LED单元发出的第一颜色光转换为第二颜色光。11.根据权利要求10所述的Micro
‑
LED显示芯片，其特征在于...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。