【技术实现步骤摘要】
一种半导体加工用无蜡垫及其制备方法
[0001]本专利技术属于抛光材料
,具体地,涉及一种半导体加工用无蜡垫及其制备方法。
技术介绍
[0002]传统的抛光技术主要有两种:有蜡抛光和无蜡抛光,有蜡技术是将硅片、蓝宝石或者是砷化镓粘结固定于陶瓷盘的平板上,抛光时抛光头带动陶瓷盘在抛光布上转动,在机械压力和抛光液体的作用下实现抛光目的,实践发现,这种有蜡抛光存在蜡污染,随着电子技术的迅速发展,以及大规模集成电路的集成化程度越来越高,人们对半导体器件的要求也愈加严格,因此无蜡抛光的优势逐渐得以体现,现有的无蜡抛光技术,存在如下的缺陷:现有的无蜡垫摩擦力性能及承热能力较差,导致无蜡垫在晶片的打磨过程中发生断裂、熔化或抛光偏离的问题,从而导致晶片产品的抛光合格率较低,无法达到正常的生产水平。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供一种半导体加工用无蜡垫及其制备方法,解决了现有技术中存在的问题。
[0004]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现:
[0005]本专利技术为一种半导体加 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体加工用无蜡垫,包括镶嵌层(1)、置片孔(2)、第一粘接层(3)、吸附层(4)、第二粘接层(5)和衬底层(6),其特征在于,吸附层(4)由聚氨酯发泡材料制成;所述聚氨酯发泡材料通过如下步骤制备:第一步、将3,3
′‑
二氯
–
4,4
′‑
二氨基二苯基甲烷、甲基丙烯酸甲酯、含氟单体、过氧化二苯甲酰和N,N
‑
二甲基苯胺混合,室温搅拌至溶解完全,然后加入30%的预聚体,得到混合物A;第二步、向剩余的预聚体中加入微球发泡剂,搅拌均匀,得到混合物B;将混合物A和混合物B混合,然后真空脱气30min,并在60℃条件下保温,浇筑成膜后在105℃条件下固化30min,脱模,在105℃条件下熟化15h,室温条件下保存。2.根据权利要求1所述的一种半导体加工用无蜡垫,其特征在于,3,3
′‑
二氯
–
4,4
′‑
二氨基二苯基甲烷、甲基丙烯酸甲酯、含氟单体、过氧化二苯甲酰、N,N
‑
二甲基苯胺、预聚体、微球发泡剂的质量比为7
‑
8:5
‑
10:5
‑
10:0.01:3
‑
6:50:0.5。3.根据权利要求1所述的一种半导体加工用无蜡垫,其特征在于,含氟单体通过如下步骤制备:步骤S11、在25℃条件下,将烯酸和丙酮混合,然后加入氢氧化钠溶液,加完后,保持温度不变,继续搅拌反应3h,得到固体a;步骤S12、在氮气保护条件下,向固体a中加入环氧氯丙烷和十...
【专利技术属性】
技术研发人员:李加海,黄国平,梁则兵,杨惠明,李元祥,
申请(专利权)人:安徽禾臣新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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