【技术实现步骤摘要】
一种低回踢噪声的可综合动态电压比较器
[0001]本专利技术属于半导体
,具体涉及集成电路中的一种低回踢噪声的可综合动态电压比较器电路。
技术介绍
[0002]传统互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟电路大多由定制尺寸的MOS管实现,模拟电路版图设计通过手动布局布线完成,版图布局和设计迭代时间较长。在特定制程CMOS工艺下完成的模拟电路迁移到其他CMOS工艺时需要重新搭建电路并完成版图布局布线,传统模拟电路难以实现CMOS工艺间的快速迁移。
[0003]而可综合的模拟电路,是指用数字标准单元实现的,可以用数字版图工具自动生成的模拟电路。可综合的模拟电路需要使用数字标准单元来替换传统模拟电路中的CMOS晶体管,在版图生成阶段可使用数字电路版图生成工具自动布局布线,极大提升了版图设计速度。此外,各个工艺的数字标准单元差异较小,在工艺迁移时可使用同类单元快速替换原有电路,实现模拟电路在不同工艺间的快速迁移。
[0004]电压比较器用于比较两输入电压的大小,输出值为逻辑1或逻辑0,是逐次逼近型模数转换器中不可或 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低回踢噪声的可综合动态电压比较器,其特征在于,包括一个时钟延迟模块(100)、一个输入比较级电路(200)和一个输出锁存级电路(300);其输入端口为一对正负信号端口(VINP和VINN)和一个时钟端口(CLK);其输出端口为一对互补逻辑信号输出端口(VOUTN和VOUTP);其中:(1)所述时钟延迟模块,由一个延时单元组成;延时单元的端口包括一个信号输入端(IN)和一个信号输出端(OUT);延时单元的信号输入端与时钟输入(CLK)相连,信号输出端与延时后的时钟信号(CLKD)相连;(2)所述输入比较级电路(200),由一对输入单元(210和220)组成;输入单元的端口包括四个信号输入端(A1、A2、A3和A4)和一个信号输出端(OUT);这对信号输入单元(210和220)的第一个信号输入端(A1)分别与正负输入(VINP和VINN)相连,第二个信号输入端(A2)与延时后的时钟信号(CLKD)相连,第四个信号输入端(A4)与输入时钟信号(CLK)相连,一输入单元的第三个信号输入端(A3)分别与另一输入单元的信号输出端相连;信号输出端(OUT)分别连接到中间再生信号(POUT和NOUT);(3)所述输出锁存级电路(300),由一个SR锁存器(310)组成;SR锁存器的端口包括两个信号输入端(S和R)和两个信号输出端(Q和QN);两个信号输入端(S和R)分别与中间再生信号(POUT和NOUT)反相之后相连;两个信号输出端(Q和QN)分别连接到比较器的输出端口(VOUTP和VOUTN)。2.如权利要求1所述的低回踢噪声的可综合动态电压比较器,其特征在于,一对输入单元(210和220)在输入时钟信号(CLK)控制下工作于两种模式:复位模式和比较模式;复位模式时,输入时钟信号(CLK)将中间再生信号(...
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