【技术实现步骤摘要】
纳米贝塞尔激光光束发射器及其制备方法
[0001]本申请涉及半导体光电子器件
,尤其是涉及一种纳米贝塞尔激光光束发射器及其制备方法。
技术介绍
[0002]贝塞尔光束作为一种无衍射光束,具有在垂直于传输方向的任意平面内初始光场不变的特殊性质,近些年来广泛应用于激光切割、激光精密准直、测距、导航等领域。
[0003]目前贝塞尔光束的制备方法主要为环缝法、全息法、锥形透镜法和球面像差法,然而这些制备方法产生的贝塞尔光束的中心峰半径只能达到微米量级,并且产生贝塞尔光束的结构体积较大,难以实现集成化。
技术实现思路
[0004]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本申请提出一种纳米贝塞尔激光光束发射器,能够产生中心峰半径为纳米级的贝塞尔光束,并且结构简单,能够实现集成化。
[0005]本申请还提出一种纳米贝塞尔激光光束发射器的制备方法。
[0006]根据本申请的第一方面实施例的纳米贝塞尔激光光束发射器,包括:
[0007]第一布拉格反射层,所述第一布拉格反射层开
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.纳米贝塞尔激光光束发射器,其特征在于,包括:第一布拉格反射层,所述第一布拉格反射层开设有柱形通孔;发光层,所述发光层设置于所述第一布拉格反射层表面,用于产生光束;第二布拉格反射层,所述第二布拉格反射层设置于所述发光层远离所述第一布拉格反射层的一侧。2.根据权利要求1所述的纳米贝塞尔激光光束发射器,其特征在于,所述第一布拉格反射层、所述第二布拉格反射层均包括多个反射层,所述第一布拉格反射层包括所述反射层的数量大于所述第二布拉格反射层包括所述反射层的数量;其中,所述反射层包括一个高折射材料层和一个低折射材料层。3.根据权利要求1所述的纳米贝塞尔激光光束发射器,其特征在于,还包括:基板,所述基板设置于所述第一布拉格反射层远离所述发光层的一侧。4.根据权利要求3所述的纳米贝塞尔激光光束发射器,其特征在于,还包括:生长层,所述生长层设置于所述基板靠近所述第一布拉格反射层的一侧;连接部,所述连接部包括伸出件和支撑件,所述伸出件嵌设于所述第一布拉格反射层的所述柱形通孔中,所述支撑件设置于所述第一布拉格反射层远离所述生长层的一侧。5.根据权利要求4所述的纳米贝塞尔激光光束发射器,其特征在于,所述支撑件为六棱台结构,所述支撑件靠近所述生长层的底面的面积大于所述支撑件远离所述生长层的底面的面积,所述支撑件远离所述生长层的底面用于设置所述发光层。6.根据权利要求1所述的纳米贝塞尔激光光束发射器,其特征在于,所述发光层包括:LED光源,所述LED光源设置于所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙小卫,乐思,唐浩东,刘湃,刘一凡,马精瑞,
申请(专利权)人:南方科技大学,
类型:发明
国别省市:
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