【技术实现步骤摘要】
一种W波段的伪差分Cascode结构的高增益功率放大器电路
[0001]本专利技术属于微波集成电路
，具体涉及一种W波段的伪差分Cascode结构的高增益功率放大器电路。
技术介绍
[0002]随着现代科技的发展，人们进入信息时代，对通信的速度和信息容量也提出了更高的要求，传统的低频段通信已经无法满足人们的需要，同时微波低频段频谱资源已经非常紧缺，相互间的干扰严重，使得人们不得不将目光放在了更高的频率开发上。W波段属于毫米波频段，与微波低频相比，无论是信息传输速度还是传输信息的容量，都有一定的提高。
[0003]功率放大器作为通信系统发射机的重要组成部分，其性能的好坏直接对整个通信系统的性能起着决定性的作用，通常情况下，功率放大器处于整个通信系统发射机的末端，信号通过调制解调器，混频器和滤波器后，最后经过功率放大器放大到一定功率后，经过天线发射出去。所以如何提升功率放大器的输出功率，工作带宽和效率等性能指标对整个发射机的性能至关重要。
技术实现思路
[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种W波段的伪差分Cascode结构的高增益功率放大器电路，其特征在于，包括：依次连接的输入巴伦(1)、若干级放大电路单元(2)和输出巴伦(3)，其中，所述输入巴伦(1)和所述输出巴伦(3)均采用单圈层叠变压器的巴伦结构；所述放大电路单元(2)采用伪差分的共射共基放大结构。2.根据权利要求1所述的W波段的伪差分Cascode结构的高增益功率放大器电路，其特征在于，所述放大电路单元(2)包括第一输入匹配网络(201)、第二输入匹配网络(202)、第一共射极晶体管(203)、第二共射极晶体管(204)、第一输入偏置电阻(205)、第二输入偏置电阻(206)、第一共基极晶体管(207)、第二共基极晶体管(208)、第一互联电感(209)、第二互联电感(210)、第一偏置去耦电容(211)、第二偏置去耦电容(212)、第一偏置电阻(213)、第二偏置电阻(214)、第一输出匹配网络(215)和第二输出匹配网络(216)，其中，所述第一输入匹配网络(201)的输出端分别连接所述第一共射极晶体管(203)的基极和所述第一输入偏置电阻(205)的第一端；所述第二输入匹配网络(202)的输出端分别连接所述第二共射极晶体管(204)的基极和所述第二输入偏置电阻(206)的第一端；所述第一输入偏置电阻(205)的第二端和所述第二输入偏置电阻(206)的第二端均连接第一偏置电压(Vbias1)；所述第一共射极晶体管(203)的发射极和所述第二共射极晶体管(204)的发射极均连接接地端(GND)；所述第一共射极晶体管(203)的集电极连接所述第一互联电感(209)的第一端，所述第二共射极晶体管(204)的集电极连接所述第二互联电感(210)的第一端；所述第一共基极晶体管(207)的发射极连接所述第一互联电感(209)的第二端，基级分别连接所述第一偏置去耦电容(211)的第一端和所述第一偏置电阻(213)的第一端，集电极连接所述第一输出匹配网络(215)的输入端；所述第二共基极晶体管(208)的发射极连接所述第二互联电感(210)的第二端，基级分别连接所述第二偏置去耦电容(212)的第一端和所述第二偏置电阻(214)的第一端，集电极连接所述第二输出匹配网络(216)的输入端；所述第一偏置去耦电容(211)的第二端和所述第二偏置去耦电容(212)的第二端均连接所述接地端(GND)，所述第一偏置电阻(213)的第二端和所述第二偏置电阻(214)的第二端均连接第二偏置电压(Vbias2)；所述第一输出匹配网络(215)的输入端和所述第二输出匹配网络(216)的输入端均连接电源电压(VDD)。3.根据权利要求2所述的W...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢启军，常远，张涛，刘晓贤，尹湘坤，朱樟明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。