一种大功率可控硅强触发电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率可控硅强触发电路，包括：耦合隔离电路、脉冲隔离驱动电路和触发脉冲预储能电路；所述耦合隔离电路由第一电阻R1、第一二极管D1和耦合隔离芯片U1组成；所述脉冲隔离驱动电路由第二电阻R2、第三电阻R3、三极管Q1和变压器T组成；所述触发脉冲预储能电路由第四电阻R5、第五电阻R6和电容C1组成。本实用新型专利技术提出应用于大功率可控硅的强触发电路，提高了强触发电路的触发和驱动能力，在脉冲触发电路中增加能量预储存的电路，产生了较高的电流脉冲尖峰，实现了在任意时刻的可控硅的有效导通。同时，能够有效触发并驱动1000A～5000A规格的可控硅器件，实现其应用电源的功率控制，提高可控硅器件的开通可靠性。性。性。

A high power SCR strong trigger circuit

【技术实现步骤摘要】
一种大功率可控硅强触发电路


[0001]本技术属于电力电子领域，涉及一种大功率可控硅强触发电路。

技术介绍

[0002]在中大功率ACDC电源场合，三相可控硅整流器是电源变换电路中最常用的电路拓扑结构。其中可控硅的触发电路是电源控制的重要组成部分。可控硅是一种电流控制型器件，它要求门极驱动单元类似于一个电流源，能向门极提供一个陡直的尖峰电流脉冲，以保证在任何时刻均能可靠触发可控硅器件。
[0003]当电源选用的可控硅器件规格越大的时候，触发导通电路需要的能量越大，电流脉冲尖峰也就越高，采用强触发方式可以使器件的开通时间缩短、开通损耗减小、器件耐受di/dt的能力增强。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中大功率可控硅器件本身的特性，其触发电路需要解决提高电路触发和驱动能力、产生较高的电流脉冲尖峰以及实现在任意时刻的可控硅的有效导通的问题。本技术的目的在于提供一种至少部分解决上述技术问题的一种大功率可控硅强触发电路。
[0005]本技术实施例提供一种大功率可控硅强触发电路，包括：
[0006]耦合隔离电路、脉冲隔离驱动电路和触发脉冲预储能电路；
[0007]所述耦合隔离电路由第一电阻R1、第一二极管D1和耦合隔离芯片U1 组成；所述脉冲隔离驱动电路由第二电阻R2、第三电阻R3、三极管Q1和变压器T组成；所述触发脉冲预储能电路由第四电阻R5、第五电阻R6和电容 C1组成；
[0008]所述第一电阻R1与所述耦合隔离芯片U1连接；所述第一二极管D1负极和所述第一电阻R1与所述耦合隔离芯片U1之间的连接线连接，正极接地；所述耦合隔离芯片U1与所述第二电阻R2一端连接；
[0009]所述第二电阻R2另一端与所述三极管Q1基极B连接；所述三极管Q1 发射极E接地，集电极C与所述变压器T第一原边端连接；所述三极管Q1 的发射极E和基极B并联所述第三电阻R3；所述变压器T第二原边端与所述第四电阻R5连接；
[0010]所述第四电阻R5与所述第五电阻R6并联组成并联电路；所述并联电路的一端接入供电电压，另一端分别连接所述变压器T第二原边端和所述电容 C1。
[0011]进一步的，还包括：续流电路；所述续流电路由第六电阻R7和第二二极管D2组成；
[0012]所述第六电阻R7一端与所述并联电路和所述变压器T第二原边端的连接线连接，另一端连接所述第二二极管D2负极；所述第二二极管D2正极与所述三极管Q1集电极C和所述变压器T第一原边端的连接线连接。
[0013]进一步的，所述耦合隔离芯片U1是型号为：1EDI20I12AF的磁耦隔离芯片。
[0014]进一步的，所述耦合隔离芯片U1包括两端；所述耦合隔离芯片U1的一端具有第一
引脚VCC1、第二引脚IN+、第三引脚IN
‑
和第四引脚GND1；所述耦合隔离芯片U1的另一端具有第五引脚GND2、第六引脚OUT+、第七引脚OUT
‑
和第八引脚VCC2；
[0015]所述第一电阻R1与所述第二引脚IN+连接；所述第六引脚OUT+和所述第七引脚OUT
‑
并联与所述第二电阻R2一端连接；
[0016]所述第一引脚VCC1和所述第八引脚VCC2分别接入不同供电电压；所述第三引脚IN
‑
和所述第四引脚GND1并联，与所述第一二极管D1正极连接接地；所述第五引脚GND2接地。
[0017]进一步的，所述第一引脚VCC1接入的供电电压为5V；
[0018]所述第八引脚VCC2接入的供电电压为24V。
[0019]进一步的，所述变压器为脉冲变压器。
[0020]进一步的，所述三极管为NPN型三极管。
[0021]有益效果：本技术是一种大功率可控硅强触发电路，与现有技术相比较，具有显著的优点与积极效果：提高了强触发电路的触发和驱动能力，在脉冲触发电路中增加能量预储存的电路，产生了较高的电流脉冲尖峰，实现了在任意时刻的可控硅的有效导通。
[0022]本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0023]图1为本技术实施例提供的触发电路示意图；
[0024]图2为常规触发电路示意图；
[0025]图3为本技术实施例提供的触发电路波形图；
[0026]图4为本技术实施例提供的不同触发电路对比触发波形图。
具体实施方式
[0027]下面将结合本技术实施例中的附图对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0029]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“内接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0030]本技术实施例提供一种大功率可控硅强触发电路，如图1所示，包括：耦合隔
离电路、脉冲隔离驱动电路和触发脉冲预储能电路。
[0031]耦合隔离电路由第一电阻R1、第一二极管D1和耦合隔离芯片U1组成；脉冲隔离驱动电路由第二电阻R2、第三电阻R3、三极管Q1和变压器T组成；触发脉冲预储能电路由第四电阻R5、第五电阻R6和电容C1组成。
[0032]下面将对上述三种电路之间的连接关系，进行详述。
[0033]第一电阻R1与耦合隔离芯片U1连接；第一二极管D1负极和第一电阻R1 与耦合隔离芯片U1之间的连接线连接，正极接地；耦合隔离芯片U1与第二电阻R2一端连接。
[0034]第二电阻R2另一端与三极管Q1基极B连接；三极管Q1发射极E接地，集电极C与变压器T第一原边端连接；三极管Q1的发射极E和基极B并联第三电阻 R3；变压器T第二原边端与第四电阻R5连接。
[0035]第四电阻R5与第五电阻R6并联组成并联电路；并联电路的一端接入供电电压，另一端分别连接变压器T第二原边端和电容C1。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率可控硅强触发电路，其特征在于，包括：耦合隔离电路、脉冲隔离驱动电路和触发脉冲预储能电路；所述耦合隔离电路由第一电阻R1、第一二极管D1和耦合隔离芯片U1组成；所述脉冲隔离驱动电路由第二电阻R2、第三电阻R3、三极管Q1和变压器T组成；所述触发脉冲预储能电路由第四电阻R5、第五电阻R6和电容C1组成；所述第一电阻R1与所述耦合隔离芯片U1连接；所述第一二极管D1负极和所述第一电阻R1与所述耦合隔离芯片U1之间的连接线连接，正极接地；所述耦合隔离芯片U1与所述第二电阻R2一端连接；所述第二电阻R2另一端与所述三极管Q1基极B连接；所述三极管Q1发射极E接地，集电极C与所述变压器T第一原边端连接；所述三极管Q1的发射极E和基极B并联所述第三电阻R3；所述变压器T第二原边端与所述第四电阻R5连接；所述第四电阻R5与所述第五电阻R6并联组成并联电路；所述并联电路的一端接入供电电压，另一端分别连接所述变压器T第二原边端和所述电容C1。2.根据权利要求1所述的一种大功率可控硅强触发电路，其特征在于：还包括：续流电路；所述续流电路由第六电阻R7和第二二极管D2组成；所述第六电阻R7一端与所述并联电路和所述变压器T第二原边端的连接线连接，另一端连接所述第二二极管D2负极；所述第二二极管D2正极与所述三极管Q1集电极C和所述变压器T第一原边端的连接线连接。...

【专利技术属性】
技术研发人员：常丽凯，高华，陈培，崔改冰，王九刚，柴艳鹏，黄泽平，张明理，
申请(专利权)人：保定四方三伊电气有限公司，
类型：新型
国别省市：