一种大功率可控硅强触发电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率可控硅强触发电路，包括：耦合隔离电路、脉冲隔离驱动电路和触发脉冲预储能电路；所述耦合隔离电路由第一电阻R1、第一二极管D1和耦合隔离芯片U1组成；所述脉冲隔离驱动电路由第二电阻R2、第三电阻R3、三极管Q1和变压器T组成；所述触发脉冲预储能电路由第四电阻R5、第五电阻R6和电容C1组成。本实用新型专利技术提出应用于大功率可控硅的强触发电路，提高了强触发电路的触发和驱动能力，在脉冲触发电路中增加能量预储存的电路，产生了较高的电流脉冲尖峰，实现了在任意时刻的可控硅的有效导通。同时，能够有效触发并驱动1000A～5000A规格的可控硅器件，实现其应用电源的功率控制，提高可控硅器件的开通可靠性。性。性。

A high power SCR strong trigger circuit

【技术实现步骤摘要】
一种大功率可控硅强触发电路


[0001]本技术属于电力电子领域，涉及一种大功率可控硅强触发电路。

技术介绍

[0002]在中大功率ACDC电源场合，三相可控硅整流器是电源变换电路中最常用的电路拓扑结构。其中可控硅的触发电路是电源控制的重要组成部分。可控硅是一种电流控制型器件，它要求门极驱动单元类似于一个电流源，能向门极提供一个陡直的尖峰电流脉冲，以保证在任何时刻均能可靠触发可控硅器件。
[0003]当电源选用的可控硅器件规格越大的时候，触发导通电路需要的能量越大，电流脉冲尖峰也就越高，采用强触发方式可以使器件的开通时间缩短、开通损耗减小、器件耐受di/dt的能力增强。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中大功率可控硅器件本身的特性，其触发电路需要解决提高电路触发和驱动能力、产生较高的电流脉冲尖峰以及实现在任意时刻的可控硅的有效导通的问题。本技术的目的在于提供一种至少部分解决上述技术问题的一种大功率可控硅强触发电路。
[0005]本技术实施例提供一种大功率可控硅强触发电路，包括：
[0006]耦合隔离电路、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率可控硅强触发电路，其特征在于，包括：耦合隔离电路、脉冲隔离驱动电路和触发脉冲预储能电路；所述耦合隔离电路由第一电阻R1、第一二极管D1和耦合隔离芯片U1组成；所述脉冲隔离驱动电路由第二电阻R2、第三电阻R3、三极管Q1和变压器T组成；所述触发脉冲预储能电路由第四电阻R5、第五电阻R6和电容C1组成；所述第一电阻R1与所述耦合隔离芯片U1连接；所述第一二极管D1负极和所述第一电阻R1与所述耦合隔离芯片U1之间的连接线连接，正极接地；所述耦合隔离芯片U1与所述第二电阻R2一端连接；所述第二电阻R2另一端与所述三极管Q1基极B连接；所述三极管Q1发射极E接地，集电极C与所述变压器T第一原边端连接；所述三极管Q1的发射极E和基极B并联所述第三电阻R3；所述变压器T第二原边端与所述第四电阻R5连接；所述第四电阻R5与所述第五电阻R6并联组成并联电路；所述并联电路的一端接入供电电压，另一端分别连接所述变压器T第二原边端和所述电容C1。2.根据权利要求1所述的一种大功率可控硅强触发电路，其特征在于：还包括：续流电路；所述续流电路由第六电阻R7和第二二极管D2组成；所述第六电阻R7一端与所述并联电路和所述变压器T第二原边端的连接线连接，另一端连接所述第二二极管D2负极；所述第二二极管D2正极与所述三极管Q1集电极C和所述变压器T第一原边端的连接线连接。...

【专利技术属性】
技术研发人员：常丽凯，高华，陈培，崔改冰，王九刚，柴艳鹏，黄泽平，张明理，
申请(专利权)人：保定四方三伊电气有限公司，
类型：新型
国别省市：