【技术实现步骤摘要】
覆盖有硅化合物的金属微粒
[0001]本申请是同名专利技术名称的中国专利申请第201780027389.0号的分案申请,原案国际申请号为PCT/JP2017/020494,国际申请日为2017年6月1日。
[0002]本专利技术涉及覆盖有硅化合物的金属微粒。
技术介绍
[0003]金属微粒是广泛用于磁性材料、导电性材料、颜色材料或催化剂等的材料,特别是通过制成1μm以下的微粒,其特性提高,可以成为在用作分散体时等也适合的组合物。但是,在任一种用途中,伴随通过将金属微粒微细化而发生或提高的特性,同时由于在大气中急剧氧化而产生的爆炸反应变得容易发生,通过与水分接触而产生的氧化或氢氧化等,作为金属微粒所期待的特性容易丧失等,因而难以最大限度地利用作为金属微粒的特性。
[0004]在解决这些课题方面,如专利文献1或专利文献2所述,在金属微粒的表面覆盖二氧化硅等硅化合物是有效的,但在这些以往的技术中,覆盖状态的控制本身是困难的,因此,通过覆盖硅化合物,对原本金属微粒期待的效果受损,或者得不到严密控制特性的覆盖有硅化合物的金属微粒,被硅化合物覆盖的金属微粒的特性的要因尚不明确。
[0005]专利文献3中记载了以控制导电性为目的,通过金属粒子表面的二氧化硅的覆盖量来控制对粒子的覆盖率的覆盖粒子的制造方法,为了提高绝缘性,当然需要提高覆盖率,但如此进行提高覆盖率的处理的覆盖有硅化合物的金属微粒存在在各种分散介质中的分散性显著下降的情况、以及不产生期待的效果等问题,关于尽可能地降低对金属微粒的二氧化硅覆盖量的覆 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,其是包含至少1种金属元素或半金属元素的金属微粒的表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的金属微粒,上述覆盖有硅化合物的金属微粒中含有的Si
‑
OH键的比率被控制在0.1%以上70%以下。2.覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,其是包含至少1种金属元素或半金属元素的金属微粒的表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的金属微粒,上述覆盖有硅化合物的金属微粒中含有的Si
‑
OH键相对于Si
‑
O键的比率,即Si
‑
OH键/Si
‑
O键的比率被控制在0.001以上700以下。3.权利要求1或2所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述覆盖有硅化合物的金属微粒中含有的Si
‑
OH键的比率或Si
‑
OH键/Si
‑
O键的比率是通过官能团的变更处理来控制的。4.权利要求1至3任一项所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述官能团的变更处理为选自取代反应、加成反应、消去反应、脱水反应、缩合反应、还原反应、氧化反应中的至少1种。5.权利要求1至4任一项所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述覆盖有硅化合物的金属微粒是1个金属微粒的表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的金属微粒,上述金属微粒的一次粒径为1μm以下,而且,上述覆盖有硅化合物的金属微粒的一次粒径为上述金属微粒的一次粒径的100.5%以上190%以下。6.权利要求5所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述覆盖有硅化合物的金属微粒是作为核的1个金属微粒的整个表面被作为壳的硅化合物覆盖而成的核壳型覆盖有硅化合物的金属微粒。7.权利要求1至6任一项所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述覆盖有硅化合物的金属微粒是多个金属微粒凝集而成的凝集体的表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的金属微粒,上述凝集体的直径为1μm以下,而且,上述覆盖有硅化合物的金属微粒的粒径为上述凝集体的直径的100.5%以上190%以下。8.权利要求1至7任一项所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述金属元素或半金属元素含有选自银、铜和镍中的至少1种。9.权利要求1至8任一项所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述Si
‑
OH键的比率或上述Si
‑
OH键/Si
‑
O键的比率是通过波形分离使用全反射法(ATR法)测定的上述覆盖有硅化合物的金属微粒的红外吸收光谱中的波数750cm
‑1至1300cm
‑1区域的峰而得到的。10.权利要求1至9任一项所述的覆盖有硅化合物的金属微粒,其特征在于,上述Si
‑
OH键是通过波形分离使用全反射法(ATR法)测定的上述覆盖有硅化合...
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