一种神经元信息处理方法、装置、芯片以及存储介质制造方法及图纸

本申请提出一种神经元信息处理方法、装置、芯片以及存储介质。该方法应用于芯片。所述芯片通过其包括的至少一个计算核模拟至少一个神经元。所述方法可以包括：获取所述至少一个神经元中每一所述神经元的当前膜电位；响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同，关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息；响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同，丢弃所述当前膜电位。丢弃所述当前膜电位。丢弃所述当前膜电位。

【技术实现步骤摘要】
一种神经元信息处理方法、装置、芯片以及存储介质


[0001]本申请涉及计算机
，具体涉及一种神经元信息处理方法、装置、芯片以及存储介质。

技术介绍

[0002]一些芯片(例如，神经拟态芯片)可以用于构建神经网络。所述神经网络中可以包括多个神经元。该类芯片中的计算核可以用于模拟神经网络中的神经元。所述多个神经元中的至少部分神经元之间可以通过突触相互通讯。
[0003]该类芯片中，需要存储神经元的神经元信息，神经元可以根据神经元信息执行处理动作。目前通常采用的方式是将每一个神经元的神经元信息存储起来，便于每一个神经元依据神经元信息做出相应处理。但是如此可能过多占用芯片的存储空间。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请公开一种神经元信息处理方法。该方法应用于芯片。所述芯片通过其包括的至少一个计算核模拟至少一个神经元。所述方法可以包括：获取所述至少一个神经元中每一所述神经元的当前膜电位；响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同，关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息；响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同，丢弃所述当前膜电位。
[0005]在一些实施例中，所述神经元信息包括以下至少一项：释放阈值、泄漏值、静息电位。
[0006]在一些实施例中，将所述至少一个神经元的神经元信息按照神经元类型预先存储于所述芯片内；所述响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同，关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息，包括：响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同，关联存储所述当前膜电位与所述神经元对应的神经元类型标识；响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同，丢弃所述当前膜电位，所述方法包括：响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同，丢弃所述当前膜电位，存储所述神经元对应的神经元类型标识。
[0007]在一些实施例中，所述方法还包括：响应于存储目标神经元的膜电位，将存储的所述目标神经元的膜电位确定为所述目标神经元的当前膜电位；响应于未存储目标神经元的膜电位，将所述目标神经元对应的静息电位确定为所述目标神经元的当前膜电位。
[0008]在一些实施例中，将所述至少一个神经元的神经元信息按照神经元类型预先存储于所述芯片内；所述芯片内存储了所述至少一个神经元的神经元类型标识；所述响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同，关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息，包括：响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同，存储所述神经元的编号标识和所述当前膜电位，并将存储的所述编号标识和所述当前膜电位，与所述神经元的神经元类型标识相关联。
[0009]在一些实施例中，所述方法还包括：响应于存储目标神经元的编号标识，将与所述
目标神经元的编号关联存储的膜电位确定为所述目标神经元的当前膜电位；响应于未存储目标神经元的编号标识，将所述目标神经元对应的静息电位确定为所述目标神经元的当前膜电位。
[0010]在一些实施例中，所述关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息，包括：基于预先设置的神经元编号标识，顺序关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息。
[0011]在一些实施例中，所述芯片包括众核芯片；所述神经元包括脉冲神经网络中的神经元。
[0012]本申请还提出一种神经元信息处理装置。该装置应用于芯片。所述芯片通过其包括的至少一个计算核模拟至少一个神经元；所述装置包括：获取模块，用于获取所述至少一个神经元中每一所述神经元的当前膜电位；存储模块，用于响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同，关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息；响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同，丢弃所述当前膜电位。
[0013]本申请还提出一种芯片，所述芯片通过其包括的至少一个计算核模拟至少一个神经元；其中，所述计算核，用于获取所述至少一个神经元中每一所述神经元的当前膜电位；响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同，关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息；响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同，丢弃所述当前膜电位。
[0014]本申请还提出一种存储介质，所述存储介质存储有程序，所述程序用于使芯片计算核执行如前述任一实施例示出的神经元信息处理方法。
[0015]在前述任一实施例记载的方案中，通过响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同，关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息，并且响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同，丢弃所述当前膜电位，从而可以只存储工作状态下的神经元的膜电位，无需存储非工作状态下的神经元的膜电位，从而节省芯片的存储空间。
[0016]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请一个或多个实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请一个或多个实施例中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本申请实施例示出的一种神经元信息处理方法的方法流程图；
[0019]图2为本申请实施例示出的一种获取静息电位的方法示意图；
[0020]图3为本申请实施例示出的一种获取当前膜电位的方法流程示意图；
[0021]图4为本申请实施例示出的一种获取当前膜电位的方法流程示意图；
[0022]图5为本申请实施例示出的一种神经元信息处理装置的结构示意图。
具体实施方式
[0023]下面将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及
附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的设备和方法的例子。
[0024]在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。还应当理解，本文中所使用的词语“如果”，取决于语境，可以被解释成为“在
……
时”或“当
……
时”或“响应于确定”。
[0025]本申请提出一种神经元信息处理方法。该方法中可以只存储工作状态下的神经元的膜电位，无需存储非工作状态下的神经元的膜电位，从而节省存储空间。该方法可以应用于芯片。所述芯片可以通过其包括的至少一个计算核模拟至少一个神经元。
[0026]在一些实施例中，所述芯片可以是AI芯片。所述AI芯片可以是神经拟态芯片(脑类芯片)。该类芯片可以为众核本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种神经元信息处理方法，应用于芯片，其特征在于，所述芯片通过其包括的至少一个计算核模拟至少一个神经元；所述方法包括：获取所述至少一个神经元中每一所述神经元的当前膜电位；响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同，关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息；响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同，丢弃所述当前膜电位。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述神经元信息包括以下至少一项：释放阈值、泄漏值、静息电位。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述至少一个神经元的神经元信息按照神经元类型预先存储于所述芯片内；所述响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同，关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息，包括：响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同，关联存储所述当前膜电位与所述神经元对应的神经元类型标识；响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同，丢弃所述当前膜电位，所述方法包括：响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同，丢弃所述当前膜电位，存储所述神经元对应的神经元类型标识。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：响应于存储目标神经元的膜电位，将存储的所述目标神经元的膜电位确定为所述目标神经元的当前膜电位；响应于未存储目标神经元的膜电位，将所述目标神经元对应的静息电位确定为所述目标神经元的当前膜电位。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述至少一个神经元的神经元信息按照神经元类型预先存储于所述芯片内；所述芯片内存储了所述至少一个神经元的神经元类型标识；所述响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同，关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息，包括：响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同，存储所述神经元的编号标识和所述当前...

【专利技术属性】
技术研发人员：何伟，祝夭龙，
申请(专利权)人：北京灵汐科技有限公司，
类型：发明
国别省市：