一种制备低铁铝钙含量硅的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备低铁铝钙含量硅的方法，属于工业硅冶炼技术领域。该方法突破了现有技术通过控制生产原料中杂质含量方法获得高品质硅的途径，采用工业锌在炉外进行精炼，工业硅中的杂质铁、铝、钙与锌发生反应形成低熔点的化合物，利用硅熔体本身的高温将化合物挥发逸出达到除杂的目的，硅凝固后未挥发的锌铁、锌铝、锌钙化合物偏析在晶界处，破碎后采用酸洗除去，并且多余的锌在高温下变成气体在压缩气体的作用下分离；本发明专利技术方法能够有效去除硅熔体中的杂质铁、铝、钙，且不引入新的杂质，解决了现有工业硅生产对原料的依赖，该方法成本低、操作简单，可对多余的锌进行回收再利用，节能环保，适用于工业化大规模生产。适用于工业化大规模生产。

【技术实现步骤摘要】
一种制备低铁铝钙含量硅的方法


[0001]本专利技术属于工业硅冶炼
，具体涉及一种制备低铁铝钙含量硅的方法。

技术介绍

[0002]在工业硅冶炼过程中，原料包含Fe、Al、Ca、B、P等杂，这些杂质元素在硅石还原的过程中随着硅元素一起被还原而进入工业硅,在硅熔体冷凝之后作为杂质沉积在工业硅中,从而降低了工业硅的纯度。为了减少工业硅中杂质的含量，提高工业硅的品质,就需对工业硅进行炉外精炼,去除工业硅中的大部分杂质。随着科技的进步，对工业硅的纯度要求越来越高。
[0003]目前，在工业硅厂最常用的杂质去除方法是工业硅在抬包中进行炉外精炼，往抬包中吹入氯气、氮气、氧气和压缩空气或者上述气体的混合气体进行精炼，去除大部分Al、Ca、B、C等杂质，但是并不能去除Fe等其他杂质。
[0004]另外一种常用的杂质去除方法为造渣剂精炼方法，往抬包中加入氧化钙、氧化硅、氧化铝、氧化镁、氟化钙等氧化物的组合成分或者含有上述氧化物的矿物原石，利用造渣剂将硅中的部分杂质去除，但是同样存在对于Fe等杂质的去除效果不理想，同时造渣精炼后硅与渣的分离难本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备低铁铝钙含量硅的方法，其特征在于，抬包中通入压缩气体，将抬包中待除杂的工业硅熔体中加入固体锌，保持硅熔体的温度在1700℃以上，固体锌在高温下转化为气体锌，气体锌与杂质反应形成的化合物通过挥发去除，多余的气体锌在压缩气体的作用下进入管道，达到除去工业硅熔体中杂质的目的。2.根据权利要求1所述的一种制备低铁铝钙含量硅的方法，其特征在于，所述的压缩气体为压缩氩气。3.根据权利要求1所述的一种制备低铁铝钙含量硅的方法，其特征在于，所述通入压缩气体的通气压力为0.2～0.3MPa，气体流量为800～1200L/h，通气时间为20～60min。4.根据权利要求1所述的一种制备低铁铝钙含量硅的方法，其特征在于，气体锌与杂质铁、铝、钙的反应时间为30～60min。5.根据权利要求1或4所述的一种制备低铁铝钙含量硅的方法，其特征在于，加入锌的质量为工业硅质量的0.15～0.3%。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗大伟，白俊哲，荣科，邓佳宝，
申请(专利权)人：成都理工大学，
类型：发明
国别省市：