一种双频段基片集成波导滤波天线制造技术

本发明专利技术涉及一种双频段基片集成波导滤波天线，属于天线技术领域。该滤波天线包括上、下层介质基板，金属通孔、金属耦合探针、金属接地板、50欧姆微带线、共面波导、矩形匹配槽、矩形辐射槽以及金属匹配柱等。其中上层介质基板、上层金属接地板、第一金属通孔和中层金属接地板构成上谐振腔体；下层介质基板、中层金属接地板、下层金属接地板和第二金属通孔构成下谐振腔体；金属通孔用于构成上、下谐振腔体的金属壁；矩形辐射槽设置在上谐振腔体中，将其分割成左右两个部分。本发明专利技术通过被分割成左右两部分的上谐振腔体，使得该滤波天线具有双频段的效果，并且双频段均具有滤波功能。并且双频段均具有滤波功能。并且双频段均具有滤波功能。

A dual band substrate integrated waveguide filter antenna

【技术实现步骤摘要】
一种双频段基片集成波导滤波天线


[0001]本专利技术属于天线
，涉及一种双频段基片集成波导滤波天线。

技术介绍

[0002]近年来，通信标准的多制式需求以及通信设备小型化、紧凑化的发展，要求射频前端器件具备多频段、多功能化。天线与滤波器作为射频前端重要组成部分，其集成化、一体化、多频段化的设计受到了广泛关注。具有带外抑制功能的双频滤波天线设计成为了当前的研究热点。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种双频段基片集成波导滤波天线，具有良好的带外抑制功能以及平坦的通带增益，同时实现天线剖面低，尺寸紧凑，易于与其他平面电路集成。
[0004]为达到上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0005]一种双频段基片集成波导滤波天线，该天线包括上层介质基板1、下层介质基板2、上层金属接地板3、中层金属接地板4、下层金属接地板5、第一金属通孔6、第二金属通孔7、矩形辐射槽8、第一金属耦合探针9、第二金属耦合探针10、金属匹配柱11和激励源；
[0006]所述上层介质基板1与下层介质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双频段基片集成波导滤波天线，其特征在于：该天线包括上层介质基板(1)、下层介质基板(2)、上层金属接地板(3)、中层金属接地板(4)、下层金属接地板(5)、第一金属通孔(6)、第二金属通孔(7)、矩形辐射槽(8)、第一金属耦合探针(9)、第二金属耦合探针(10)、金属匹配柱(11)和激励源；所述上层介质基板(1)与下层介质基板(2)上下紧密贴合，在上层介质基板(1)的上表面设置上层金属接地板(3)，在下层介质基板(2)的上表面设置中层金属接地板(4)，在下层介质基板(2)下表面设置下层金属接地板(5)；所述上层介质基板(1)、上层金属接地板(3)、第一金属通孔(6)和中层金属接地板(4)构成上谐振腔体，其中第一金属通孔(6)贯穿上层介质基板(1)以及上层金属接地板(3)，并呈直线分布在上层介质基板(1)的四周；所述下层介质基板(2)、中层金属接地板(4)、下层金属接地板(5)和第二金属通孔(7)构成下谐振腔体，其中，第二金属通孔(7)贯穿下层介质基板(2)、中层金属接地板(4)以及下层金属接地板(5)，并呈直线分布在下层介质基板(2)的四周；所述第一金属通孔(6)构成上谐振腔体的金属壁，所述第二金属通孔(7)构成下谐振腔体的金属壁，且金属通孔的位置对称；所述矩形辐射槽(8)蚀刻在上层金属接地板(3)上，矩形辐射槽(8)设置在上谐振腔体中，将上谐振腔体分割成左右两个部分；所述第一金属耦合探针(9)和第二金属耦合探针(10)由下层金属接地板(5)贯穿到上层金属接地板(3)，其中第一金属耦合探针(9)位于上层金属接地板(3)的左侧，用以连接下层金属接地板(5)和上层金属接地板(3)；第二金属耦合探针(10)位于上层金属接地板(3)的右侧，用以连接下层金属接地板(5)和上层金属接地板(3)；所述金属匹配柱(11)由中层金属接地板(4)贯穿到上层金属接地板(3)，其位置设置在上层金属接地板(3)的右侧；所述激励源设置在下层金属接地板(5)上。2.根据权利要求1所述的一种双频段基片集成波导滤波天线，其特征在于：所述激励源包括依次连接的50欧姆微带线(12)...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡坤志，郭宝仓，潘帅宇，蒲宬亘，严冬，唐明春，王平，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：