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延时关断电路中可控硅的过电流保护制造技术

技术编号:3413418 阅读:453 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种由可控硅、阻容元件构成的延时关断电路,在该电路的可控硅支路中串入继电器励磁线圈,使在可控硅的过电流允许持续时间内短路延时电容使延时提前快速结束,强迫可控硅关断而获得保护。(*该技术在2008年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种由可控硅和电阻电容构成的延时关断电路,该电路中有一个可控硅(5)开关支路和控制可控硅(5)的延时电路,延时电路中有延时电容(4),其特征是:a、所述可控硅(5)支路中串入继电器励磁线圈(6)。b、该继电器的常开触点(1)与电阻( 2)串联成为支路(3)c、该支路(3)并联在延时电容(4)的两端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:高鸿飞
申请(专利权)人:高鸿飞
类型:发明
国别省市:44[中国|广东]

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