一种雪崩电脉冲发生器制造技术

本发明专利技术公开了一种雪崩电脉冲发生器，它由１－１５级倍增电路构成，在每级雪崩晶体管（Ｔ↓［ｎ］）集电极与发射极两端并联了电阻（Ｒ↓［３］）与电容（Ｃ↓［１］）串联构成的助雪崩电路，解决了原有雪崩晶体管Ｍａｒｘ电路输出脉冲顶宽窄的问题。获得了脉冲顶宽１００～１０００ｎｓ、最大顶部过冲１０％、平均顶降０．５％、电压３００～５０００Ｖ、前沿１～４ｎｓ的电脉冲输出。主要为脉冲Ｎｄ∶ＹＡＧ激光器加压式调Ｑ提供调Ｑ晶压波形。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种雪崩电脉冲发生器，它包括１～１５级倍增电路，每级倍增电路由电阻Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［４］、电容Ｃ↓［２］、雪崩晶体管Ｔ↓［ｎ］构成的基本Ｍａｒｘ电路组成，其特征是在每一级雪崩晶体管Ｔ↓［ｎ］的集电极和发射极两端并联了一个由电阻Ｒ↓［３］和电容Ｃ↓［１］串联而成的助雪崩电路，上述的Ｒ↓［４］为１０～５００ｋΩ，电容Ｃ↓［２］为２０００ｐｆ～２μｆ，ｎ为１～１５。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王进雄，牟宗瀛，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]