先断后通预驱动器和电平移位器制造技术

本发明专利技术提供一种先断后通预驱动器，其用于在启用ＮＦＥＴ之前停用输出驱动器的ＰＦＥＴ，且反之亦然。所述预驱动器包括输入反相器、两个交叉耦合的反相器和若干输出缓冲器。预驱动器通过在预驱动器的交叉耦合的反相器中将ＮＦＥＴ的大小确定为大于ＰＦＥＴ来提供增强的先断后通行为。输入反相器、交叉耦合的反相器以及第一和第二输出缓冲器相对于彼此来确定大小，以便在上升沿和下降沿两者上提供基本上相等的先断后通行为。预驱动器还通过交叉耦合的反相器的ＰＦＥＴ处的不同电压供应包括电平移位能力。预驱动器还包括用于连接到输出驱动器的两个输入端的两个数据输出节点。预驱动器通过停用来自预驱动器输出节点的信号而提供三态行为。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种驱动器电路，其包含：　　　　一驱动器，其经配置以将一电流源和一电流吸收器切换到一负载；和　　　　一预驱动器，其具有响应于一输入信号的第一和第二交叉耦合的反相器，所述第一反相器经配置以控制所述电流源到所述负载的切换，且所述第二反相器经配置以控制所述电流吸收器到所述负载的切换，其中所述第一与第二反相器之间的所述交叉耦合经配置以使得在所述第二反相器响应于所述输入信号中的一转变将所述电流吸收器切换到所述负载之前，所述第一反相器从所述负载移除所述电流源，且在所述第一反相器响应于所述输入信号中的一相反转变将所述电流源切换到所述负载之前，所述第二反相器从所述负载移除所述电流吸收器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：瓦伊什纳芙斯里尼瓦斯，韦维卡莫汉，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]