电压驱动型半导体元件的驱动装置制造方法及图纸

一种ＩＧＢＴ（１）的驱动装置（１０），其包括：高电位侧开关元件组，其具有多个开关元件Ｍ１和Ｍ１’，每个开关元件的一端连接到高电位侧；低电位侧开关元件组，其具有多个开关元件Ｍ２和Ｍ２’，每个开关元件的一端连接到低电位侧；驱动类型选择输入端（１０ｂ），向其输入驱动类型选择信号，所述信号与连接到所述驱动装置（１０）的ＩＧＢＴ（１）的驱动类型对应；直接驱动型控制单元（２３）和间接驱动型控制单元（２４），其产生控制信号，所述控制信号互补地控制对应于ＩＧＢＴ（１）的驱动类型的所述高电位侧开关元件组和所述低电位侧开关元件组；以及选择器（２５），其选择控制信号，所述控制信号控制对应于输入的驱动类型选择信号的所述高电位侧开关元件组和所述低电位侧开关元件组。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种电压驱动型半导体元件的驱动装置。
技术介绍
IGBT (绝缘栅双极型晶体管)、MOSGTO (金属氧化物门极可关 断晶闸管)或类似物是所谓的电压驱动型半导体元件，其能通过施加 到绝缘栅上的电压控制电流，且广泛用于具有电流驱动型的双极型晶体管的电源或反相器。近来，其被大量使用在混合动力电动车辆(HEV)的反相器中。 随着混合动力电动车辆的多样化，提供了各种具有不同输出电流值的反相器。通常地，驱动具有小容量的反相器的晶体管的能量小，而驱动具 有大容量的反相器的晶体管的能量大。作为构成IGBT的反相器的驱动装置，使用电流放大型的直接驱动 型驱动装置(见日本专利公开公报2001-223571)或者间接驱动型驱动装置。对于具有小容量的IGBT的反相器，可以使用直接驱动型驱动装置 或间接驱动型驱动装置。然而，对于具有大容量的IGBT,经常4吏用间 接驱动型驱动装置，而很少使用直接驱动型驱动装置。那是因为通过在芯片中建造具有大能量的晶体管会使构造成为IC 芯片的驱动装置的尺寸变大，因而增加成本。还因为用于大电流的晶 体管的放热性也大，所以散热困难。作为直接驱动型驱动装置，通常本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压驱动型半导体元件的驱动装置，其包括：　　　　高电位侧开关元件组，其具有多个开关元件，每个开关元件的一端连接到高电位侧；　　　　低电位侧开关元件组，其具有多个开关元件，每个开关元件的一端连接到低电位侧；　　　　输入器件，向其输入驱动类型选择信号，所述信号对应于连接到所述驱动装置的所述电压驱动型开关元件的驱动类型；　　　　控制信号发生器件，其产生控制信号，所述控制信号互补地控制对应于所述电压驱动型开关元件的所述驱动类型的所述高电位侧开关元件组和所述低电位侧开关元件组；以及　　　　选择器件，其选择控制信号，所述控制信号控制对应于输入的驱动类型选择信号的所述高电位侧开关元件组和所述低电位侧开关...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：森下英俊，山胁秀夫，铃木优，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]