磁敏传感单元阵列及平面二维磁场方向测量的方法技术

本发明专利技术提供了一种磁敏传感单元阵列及平面二维磁场方向测量的方法，磁敏传感单元阵列包括三个或者三个以上具有磁场敏感方向的磁敏传感单元，各所述磁敏传感单元沿着圆周方向上均匀排布设置，且各所述磁敏传感单元的磁场敏感方向均沿着径向方向设置。本发明专利技术优点：可通过周期为2π的余弦函数拟合来测量二维磁场方向，能够提高二维磁场测量精度；同时在部分磁敏传感单元损坏的情况下仍然可以正常使用，能够提高器件鲁棒性。能够提高器件鲁棒性。能够提高器件鲁棒性。

【技术实现步骤摘要】
磁敏传感单元阵列及平面二维磁场方向测量的方法


[0001]本专利技术涉及磁敏传感器
，特别涉及一种磁敏传感单元阵列的布置，以及利用该磁敏传感单元阵列布置产生的相位信息来实现平面二维磁场方向测量的方法。

技术介绍

[0002]现有二维磁性传感器的核心磁敏传感单元可基于霍尔效应器件、各向异性磁电阻器件、巨磁电阻器件或隧穿磁电阻器件进行设计。通常基于霍尔效应器件、各向异性磁电阻器件、巨磁电阻器件和隧穿磁电阻器件实现磁场在空间中两个正交方向分量的测量，需要采用两个(组)正交布置的核心磁敏传感单元(此处记这两组正交布置的核心磁敏传感单元分别为A和B)，利用A和B磁电阻值可以确定二维磁场相对正交布置坐标系的方向。
[0003]在上述方案中，两组核心磁敏传感单元A和B的稳定性至关重要，任何一组核心磁敏传感单元的损坏或严重性能退化都将显著影响测量的实施和精度。换而言之，传统采用两组正交核心磁敏传感单元A和B布置的二维磁场方向传感器存在器件鲁棒性不足和精度差的问题。鉴于上述存在的问题，本案专利技术人对该问题进行深入研究，遂有本案产生。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁敏传感单元阵列，其特征在于：包括三个或者三个以上具有磁场敏感方向的磁敏传感单元，各所述磁敏传感单元沿着圆周方向上均匀排布设置，且各所述磁敏传感单元的磁场敏感方向均沿着径向方向设置。2.如权利要求1所述的磁敏传感单元阵列，其特征在于：各所述磁敏传感单元的磁场敏感方向均沿着径向朝向圆周内设置。3.如权利要求1所述的磁敏传感单元阵列，其特征在于：各所述磁敏传感单元的磁场敏感方向均沿着径向朝向圆周外设置。4.如权利要求1所述的磁敏传感单元阵列，其特征在于：所述磁敏传感单元采用具有2π周期的磁敏传感器单元。5.一种基于权利要求1
‑
4任意一项所述磁敏传感单元阵列的平面二维磁场方向测量的方法，其特征在于：所述方法包括：设定磁敏传感单元阵列的外磁场参考方向，在外磁场参考方向下，测量出磁敏传感单元阵列中各个磁敏传感单元的磁电阻，并对测量出的各个磁敏传感单元的磁电阻R(θ)进行拟合得到第一余弦函数曲线其中，θ表示各磁敏传...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘淼，周伯萌，付亮，李阳志，林全，王锋，苏子生，李淑芬，苏建志，谢清来，陈文杰，苏志从，陈泽强，
申请(专利权)人：泉州师范学院，
类型：发明
国别省市：