电流模式逻辑数字电路制造技术

一种数字电路，包括：第一支路，包括作为负载器件的第一金属氧化物半导体场效应晶体管（Ｍ３）；第二支路，包括作为负载器件的第二金属氧化物半导体场效应晶体管（Ｍ４）；和用来选择第一和第二支路之一的开关（Ｍ１，Ｍ２）。第一和第二晶体管（Ｍ３，Ｍ４）中的每一个都具有１００ｎｍ或更小的沟道长度，并且被偏置在弱反型区工作。在一种可替代的电路中，每个负载器件（Ｍ３，Ｍ４）的衬底都与它的漏极相连，并且被偏置在弱反型区工作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种数字电路，包括：第一支路，包括作为负载器件的第一金属氧化物半导体场效应晶体管；第二支路，包括作为负载器件的第二金属氧化物半导体场效应晶体管；和用来选择第一支路和第二支路之一的开关装置；其中第一晶体管和第二晶体管中的每一个都具有１００纳米或更小的沟道长度，并且被偏置在弱反型区工作。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯特弗图马佐，弗朗西斯科坎尼罗，
申请(专利权)人：托马兹技术有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]