【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】传感器元件和用于制造传感器元件的方法
[0001]本专利技术涉及一种传感器元件,尤其是温度传感器。本专利技术还涉及一种用于制造传感器元件、优选温度传感器的方法。
技术介绍
[0002]为了将无源器件,例如传感器、电容器、保护器件或加热器集成到电系统中,必须适应对于现代封装设计的处于微米和甚至纳米度量范围内的尺寸。为了实现所述小型化程度,将器件作为薄膜沉积在具有电端子的承载结构上并且描述为分立的器件。所述新型器件能集成到MEMS(微机电系统)或SESUB(Semiconductor Embedded in Substrate,嵌入基板中的半导体)结构中。
[0003]根据现有技术,在完全不同的应用中用于监控和调节的温度主要借助陶瓷热导体
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热敏电阻元件(NTC)、硅温度传感器(KTY)、铂温度传感器(PRTD)或热电偶(TC)测量。在此,由于制造成本低,NTC热敏电阻是最普遍的。与热电偶和金属电阻元件、例如Pt元件相比的另一优点是明显的负电阻温度特性。
[0004]为了在功率模块中使用,主要使 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于测量温度的传感器元件(1),具有
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至少一个承载件(2),所述承载件具有上侧(11)和下侧(12),其中所述上侧(11)电绝缘地构成,
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至少一个功能层(7),所述功能层具有带有温度相关的电阻的材料,其中所述功能层(7)设置在所述承载件(2)上,
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至少两个电极(4a、4b),其中所述电极(4a、4b)彼此间隔开地在所述承载件(2)上构成,
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至少两个接触盘(10a、10b),所述接触盘用于电接触所述传感器元件(1),其中各一个接触盘(10a、10b)直接设置在所述电极(4a、4b)中的一个电极的子区域上,其中所述传感器元件(1)构成用于作为分立的器件直接集成到电系统中。2.根据权利要求1所述的传感器元件(1),其中所述功能层(7)仅部分地覆盖所述承载件(2)的上侧(11)。3.根据权利要求1或2所述的传感器元件(1),其中绝缘层(3)直接在所述承载件(2)的上侧(11)上构成。4.根据上述权利要求中任一项所述的传感器元件(1),其中相应的电极(4a、4b)构成为薄层电极。5.根据上述权利要求中任一项所述的传感器元件(1),其中相应的电极(4a、4b)具有面状的端部区域(6),并且其中各一个接触盘(10a、10b)设置在所述电极(4a、4b)中的一个电极的面状的端部区域(6)上。6.根据上述权利要求中任一项所述的传感器元件(1),其中相应的电极(4a、4b)具有多个电极指(5),其中这两个电极(4a、4b)的电极指(5)相互交替地设置。7.根据上述权利要求中任一项所述的传感器元件(1),其中所述电极(4a、4b)直接在所述功能层(7)的上侧(14)上构成。8.根据权利要求1至6中任一项所述的传感器元件(1),其中所述电极(4a、4b)直接设置在所述功能层(7)的下侧(15)上。9.根据上述权利要求中任一项所述的传感器元件(1),其中所述接触盘(10a、10b)构成为,使得所述接触盘伸出所述传感器元件(1)的表面(13)。10.根据上述权利要求中任一项所述的传感器元件(1),还具有保护层(8),其中所述保护层(8)除了所述接触盘(10a、10b)...
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