【技术实现步骤摘要】
一种MEMS麦克风结构及其制备方法
[0001]本专利技术属于麦克风设备
，具体涉及一种MEMS麦克风结构及其制备方法。
技术介绍
[0002]智能手机和智能音箱中使用的都是用MEMS(Microelectro Mechanical Systems，微机电系统)技术制造的麦克风。这种麦克风具有体积小、功耗低、性能优异、一致性好、便于装配等优点。MEMS电容式麦克风结构中的振膜和背板都需要用金属形成引出电极，以此和ASIC芯片形成电性连接，为MEMS麦克风芯片提供电压偏置，同时将电信号输入给ASIC芯片进行放大和声电转换处理。
[0003]现有技术中，如图1所示，为一种MEMS麦克风的结构示意图，在其制造过程中，引出电极金属一般采用PVD(物理气相淀积)方法形成，与电极接触的背板凹槽上会有台阶，因此金属在台阶侧壁以及底部角落处会存在覆盖性差的情况，严重情况下甚至会出现金属层断裂(如图2所示)，造成器件失效和良率损失。
技术实现思路
[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MEMS麦克风结构，其特征在于，包括：麦克风本体；所述麦克风本体上设有第一电极通孔(23)、第一电极安装槽(24)、第二电极通孔(25)和第二电极安装槽(26)；所述第一电极通孔(23)、所述第一电极安装槽(24)和所述第二电极安装槽(26)的侧壁上均覆盖有二氧化硅连接层(70)；所述二氧化硅连接层(70)表面平滑且为背向所述侧壁凸起的弧面；所述第一电极通孔(23)，与所述麦克风本体的振膜(50)连通；所述振膜(50)的金属电极(80)从所述第一电极通孔(23)引出至所述第一电极安装槽(24)中；所述第一电极通孔(23)和所述第一电极安装槽(24)中的所述振膜(50)的金属电极(80)与所述二氧化硅连接层(70)接触；所述第二电极通孔(25)，与所述麦克风本体的背极(40)连通；所述背极(40)的金属电极(81)从所述第二电极通孔(25)引出至所述第二电极安装槽(26)中；所述第二电极安装槽(26)中的所述背极(40)的金属电极(81)与所述二氧化硅连接层(70)接触。2.根据权利要求1所述的一种MEMS麦克风结构，其特征在于，所述麦克风本体，包括：硅基板(10)、背板(20)、多个声孔(30)、背极(40)、所述振膜(50)、所述第一电极通孔(23)、所述第一电极安装槽(24)、所述第二电极通孔(25)、所述第二电极安装槽(26)、所述二氧化硅连接层(70)、所述振膜(50)的金属电极(80)和所述背极(40)的金属电极(81)；所述硅基板(10)上开设有贯穿硅基板(10)上表面和下表面的空腔(11)；所述振膜(50)设置在所述硅基板(10)上且部分振膜(50)与所述空腔(11)相对；所述振膜(50)上设置有沿振膜(50)周向延伸狭缝(51)，所述狭缝(51)贯通所述振膜(50)的上表面和下表面；所述振膜(50)与所述硅基板(10)之间设置有用于支撑振膜(50)的支架(52)，所述支架(52)位于所述狭缝(51)和所述空腔(11)之间；所述振膜(50)上还设置有多个第一阻挡块(53)和多个释放孔(54)，所述第一阻挡块(53)位于所述支架(52)和所述空腔(11)之间；所述释放孔(54)位于所述支架(52)和所述第一阻挡块(53)之间；所述振膜(50)背向所述空腔(11)的一侧和所述硅基板(10)上设置有所述背板(20)；与所述空腔(11)相对的背板(20)与所述振膜(50)之间形成间隔气隙(60)；所述背板(20)朝向所述空腔(11)的表面设置有所述背极(40)和多个第二阻挡块(21)，所述第二阻挡块(21)由所述背板(20)朝向背向所述背板(20)的方向延伸至贯穿所述背极(40)；所述背板(20)与所述振膜(50)相对的位置处开设有多个所述声孔(30)；所述声孔(30)贯穿所述背极(40)；一个所述声孔(30)位于相邻的两个所述第二阻挡块(21)之间；所述背板(20)上开设有所述第一电极通孔(23)、所述第一电极安装槽(24)、所述第二电极通孔(25)和所述第二电极安装槽(26)；所述第一电极通孔(23)和所述第一电极安装槽(24)位于所述空腔(11)的...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾仁需，胡磊，元磊，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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