利用薄氧化物场效应晶体管的数字输出驱动器和输入缓冲器制造技术

一种数字输出驱动器，包括可以用薄氧化物ＦＥＴ实现的前置驱动器（３１０）和驱动器（３６０）。前置驱动器（３１０）基于数字输入信号来生成第一数字信号（１４）和第二数字信号（１６）。第一数字信号具有由第一（例如焊盘）电源电压（ＶＰＡＤ）和中间电压（ＶＩＮＴ）确定的第一电压范围。第二数字信号具有由第二（例如内核）电源电压（ＶＣＯＲＥ）和电路的地（ＶＳＣＳ）确定的第二电压范围。驱动器接收第一和第二数字信号并提供数字输出信号（ＶＯＵＴ），该数字输出信号具有由第一电源电压和电路的地确定的第三电压范围。前置驱动器可以包括锁存器（３２０）和锁存器驱动器（３３０）。锁存器存储数字输入信号的当前逻辑值。锁存器驱动器向锁存器写入逻辑值。使能锁存器驱动器达一个短的持续时间，以写入逻辑值，随后将其关闭。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容总体上涉及电子器件，更具体而言涉及用于集成电路(IC)的数字输出驱动器和输入缓冲器。
技术介绍
在各种应用中，例如在通信装置、计算机、消费电子器件等中广泛使用了数字IC。很多数字IC都是制造成互补金属氧化物半导体(CMOS)的，其利用了N沟道场效应晶体管(N-FET)和P-沟道FET(P-FET)二者。FET也被称为晶体管器件或简称为器件。 数字IC可以利用薄氧化物FET、厚氧化物FET或薄氧化物与厚氧化物FET二者的组合。通常，薄氧化物FET可以工作在较低的电源电压下且具有薄的氧化物层、较低的阈值电压和较低的击穿电压。相反，厚氧化物FET能够耐受更高的电源电压，且具有厚的氧化物层、较高的阈值电压和较高的击穿电压。 很多数字IC，例如用于处理器的数字IC，被设计成大部分为薄氧化物FET或仅具有薄氧化物FET。这是因为随着IC制造技术的改进更小的晶体管尺寸成为可能，薄氧化物FET的尺寸缩小变得容易。此外，薄氧化物FET能够工作在更低的电源电压，这实现了更低的功耗。因此，对于靠电池电源工作的便携式电子设备而言，薄氧化物FET是非常适合的。 数字IC通常与一个或多个外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，包括：　锁存器，其被配置成提供具有第一电压范围的第一数字信号，所述第一电压范围由第一电源电压和中间电压确定；以及　耦合到所述锁存器的驱动器，其被配置成接收所述第一数字信号和第二数字信号并提供数字输出信号，其中所述第二数字信号具有由第二电源电压和电路的地确定的第二电压范围，其中所述数字输出信号具有由所述第一电源电压和电路的地确定的第三电压范围，并且其中所述第一电源电压高于所述第二电源电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：V斯里尼瓦斯，V莫汉，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]