一种非对称单边电场带电粒子束流的荷质比分析装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种非对称单边电场带电粒子束流的荷质比分析装置，包括：一真空腔室，用于接收外部的一带电粒子串流产生装置入射的多个带电粒子束流；一电场偏转电极组件，设置于真空腔室内，连接外部的一稳压电源，用于提供非对称单边的一偏转电场；一磁铁组件，设置于真空腔室内，用于提供正交于偏转电场的一均匀磁场以与偏转电场形成一正交电磁场，通过正交电磁场偏转各带电粒子束流中的非目标带电粒子束流并使对应一预设荷质比的目标带电粒子束流通过。有益效果是本装置通过非对称单边偏转电场和均匀磁场偏转非目标带电粒子束流以使目标带电粒子束流通过，并具备探测和准直带电粒子束流和目标带电粒子束流的功能。电粒子束流和目标带电粒子束流的功能。电粒子束流和目标带电粒子束流的功能。

【技术实现步骤摘要】
一种非对称单边电场带电粒子束流的荷质比分析装置


[0001]本专利技术涉及带电粒子束流输运
，尤其涉及非对称单边电场带电粒子束流的荷质比分析装置。

技术介绍

[0002]当带电粒子束流通过特定强度的正交电磁场时，带电粒子可受到一对大小相等方向相反的电场力和磁场力作用，使其运动方向不受改变。
[0003]在正交电磁场下，传统的带电粒子束流偏转电极都是采用对称电场极板，两块偏转极板施加大小相等极性相反的电压，该类装置需要两个电源，经济成本高，且对于带电粒子束流有较好的探测和准直作用。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种非对称单边电场带电粒子束流的荷质比分析装置，包括：
[0005]一真空腔室，用于接收外部的一带电粒子串流产生装置入射的多个带电粒子束流；
[0006]一电场偏转电极组件，设置于所述真空腔室内，连接外部的一稳压电源，用于提供非对称单边的一偏转电场；
[0007]一磁铁组件，设置于所述真空腔室内，用于提供正交于所述偏转电场的一均匀磁场以与所述偏转电场本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非对称单边电场带电粒子束流的荷质比分析装置，其特征在于，包括:一真空腔室，用于接收外部的一带电粒子串流产生装置入射的多个带电粒子束流；一电场偏转电极组件，设置于所述真空腔室内，连接外部的一稳压电源，用于提供非对称单边的一偏转电场；一磁铁组件，设置于所述真空腔室内，用于提供正交于所述偏转电场的一均匀磁场以与所述偏转电场形成一正交电磁场，通过所述正交电磁场偏转各所述带电粒子束流中的非目标带电粒子束流并使对应一预设荷质比的目标带电粒子束流通过。2.根据权利要求1所述的荷质比分析装置，其特征在于，还包括：至少一第一束流光阑电极组件，设置于所述真空腔室内并位于所述带电粒子串流产生装置的发射端与所述电场偏转电极组件之间，用于探测和准直所述带电粒子束流；至少一第二束流光阑电极组件，设置于所述真空腔室内并位于远离所述带电粒子串流产生装置发射端的一端，用于探测和准直所述目标带电粒子束流。3.根据权利要求1所述的荷质比分析装置，其特征在于，还包括：复数个电磁屏蔽套筒组件，分别设置于所述电场偏转电极组件的两侧，用于屏蔽所述偏转电场外的边缘电场和所述均匀磁场外的边缘磁场。4.根据权利要求1所述的荷质比分析装置，其特征在于，所述真空腔室通过一第一法兰连接所述带电粒子串流产生装置，并通过一第二法兰连接一粒子束流探测器，所述粒子束流探测器用于检测所述目标带电粒子束流的强度。5.根据权利要求2所述的荷质比分析装置，其特征在于，所述真空腔室的外壁上焊接有至少一真空电极并通过所述真空电极连接所述稳压电源。6.根据权利要求5所述的荷质比分析装置，其特征在于，所述电场偏转电极组件包括：一腔室平板，所述腔室平板与所述真空腔室接地相连；一偏转平板，通过一绝缘陶瓷进行固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄良玉，江紫环，钟良浩，苏平，傅云清，姚科，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：