【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有分区的SSD的数据停放
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年4月24日提交的美国申请号16/858,345的优先权，该申请全文以引用方式并入本文。
技术介绍
[0003]本公开的实施方案整体涉及存储设备，诸如固态驱动器(SSD)。
[0004]相关领域的描述
[0005]存储设备诸如SSD可用于需要相对低延迟和高容量存储的应用中的计算机中。例如，SSD可表现出比硬盘驱动器(HDD)更低的延迟，尤其是对于随机读取和写入而言。通常，SSD的控制器接收将数据从主机设备读取或写入到存储器设备的命令。数据被读取并写入存储器设备中的一个或多个擦除块。这些擦除块中的每个擦除块与逻辑块地址相关联，使得SSD和/或主机设备知道存储数据的位置。一个或多个擦除块可通过其相应的逻辑块地址分组在一起以形成多个分区。
[0006]通常，每个分区中的一个管芯专用于存储该分区的奇偶校验数据(诸如XOR数据)。由于存储设备接收到用于将数据写入特定分区的命令，因此将与该命令相关联的该数据写入存储器设备，并且...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储设备，所述存储设备包括：非易失性存储单元，其中所述非易失性存储单元的容量被划分为多个分区，并且其中所述非易失性存储单元包括多个管芯，所述多个管芯中的每个管芯包括多个擦除块；第一易失性存储器单元；和控制器，所述控制器耦接到所述非易失性存储单元和所述第一易失性存储器单元，其中所述控制器被配置为：接收将数据写入所述多个分区中的第一分区的第一写入命令；将与所述第一分区相关联的第一XOR或奇偶校验数据从所述非易失性存储单元中的第一数据停放区段复制到所述第一易失性存储器单元；用与所述第一写入命令相关联的新的XOR或奇偶校验数据在所述第一易失性存储器单元中更新与所述第一分区相关联的所述第一XOR或奇偶校验数据；以及将与所述第一分区相关联的所更新的第一XOR或奇偶校验数据从所述第一易失性存储器单元复制到所述非易失性存储单元中的所述第一数据停放区段。2.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述非易失性存储单元中的所述第一数据停放区段包括所述第一分区内的一个或多个擦除块。3.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述控制器被进一步配置为在逻辑块地址表中更新所述第一分区内的所更新的第一XOR或奇偶校验数据的当前位置。4.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述控制器被进一步配置为将与第二分区相关联的第二XOR或奇偶校验数据从所述第二分区中的第一擦除块复制到所述第二分区中的第二擦除块，其中所述非易失性存储单元中的第二数据停放区段包括所述第二分区的所述第一擦除块和所述第二擦除块。5.根据权利要求4所述的存储设备，其中所述控制器被进一步配置为：在将所述第二XOR或奇偶校验数据从所述第二分区的所述第一擦除块重新写入所述第二擦除块时，擦除所述第一擦除块。6.根据权利要求4所述的存储设备，其中所述控制器被进一步配置为更新逻辑块地址表以指示所述第二XOR或奇偶校验数据当前存储在所述第二分区的所述第二擦除块中。7.根据权利要求4所述的存储设备，其中与所述第一分区相关联的所述第一XOR或奇偶校验数据存储在所述第一数据停放区段的第一位置，并且所更新的第一XOR或奇偶校验数据被复制到所述第一数据停放区段中的第二位置，并且其中所述第一位置和所述第二位置是按顺序的。8.一种存储设备，所述存储设备包括：非易失性存储单元，其中所述非易失性存储单元的容量被划分为多个分区，并且其中所述非易失性存储单元包括多个管芯，所述多个管芯中的每个管芯包括多个擦除块，并且其中所述非易失性存储单元包括一个或多个专用数据停放区段；第一易失性存储器单元；和控制器，所述控制器耦接到所述第一易失性存储器单元和所述非易失性存储单元，所述控制器包括第二易失性存储器单元，其中所述控制器被配置为：接收对应于多个分区内的第一分区的第一写入命令；生成与所述第一分区相关联的XOR或奇偶校验数据，所述XOR或奇偶校验数据对应于所
述第一写入命令；将所述XOR或奇偶校验数据复制到所述一个或多个专用数据停放区段中的第一位置；以及将所述XOR或奇偶校验数据复制到所述第二易失性存储器单元中的第一位置。9.根据权利要求8所述的存储设备，其中所述非易失性存储单元是NAND存储器单元，其中所述第一易失性存储器单元是SRAM单元，并且其中所述第二易失性存储器单元是DRAM单元。10.根据权利要求8所述的存储设备，其中所述一个或多个专用数据停放区段是多个专用数据停...
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