带电粒子成像系统技术方案

一种次级带电粒子成像系统，包含：背向散射电子检测器模块，其中背向散射电子检测器模块可以环绕轴线而在第一角位置(5452)与第二角位置(5454)之间旋转。角位置(5454)之间旋转。角位置(5454)之间旋转。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带电粒子成像系统
[0001]本公开的各方面涉及扫描带电粒子束装置，特别是用于在样本上产生图像。各方面尤其涉及次级带电粒子成像系统。另一方面涉及包括背向散射电子检测器模块的扫描电子显微镜。另一方面涉及操作次级带电粒子成像系统的方法。
技术背景
[0002]带电粒子束设备在多个工业领域中具有许多功能，包括但不限于，制造期间的半导体装置的检测、用于光刻的曝光系统、检测装置和测试系统。因此，对于在微米与纳米尺度中对样本进行结构化和检测存在很大的需求。
[0003]微米与纳米尺度的处理控制、检验或结构化通常利用带电粒子束(例如电子束)来进行，所述带电粒子束在诸如电子显微镜或电子束图形产生器之类的带电粒子束装置中产生和聚焦。相较于例如光子束，由于光子束的短波长，带电粒子束提供优越的空间分辨率。
[0004]带电粒子束设备通常利用带电粒子成像系统。带电粒子成像系统可以被配置成用于单射束或多射束成像。下面描述具有改善性能的带电粒子成像系统。

技术实现思路

[0005]如上所述，提供了次级带电粒子成像系统、带电粒子束装置和操作次级带电粒子成像系统的方法。
[0006]根据一个方面，一种次级带电粒子成像系统，所述次级带电粒子成像系统包括背向散射电子检测器模块，并且其中背向散射电子检测器模块可以环绕轴线而在第一角位置与第二角位置之间旋转。
[0007]根据一个方面，一种包括次级带电粒子成像系统的带电粒子束装置。
[0008]根据一个方面，一种操作次级带电粒子成像系统的方法，包括：使背向散射电子检测器环绕轴线而在第一角位置与第二角位置之间旋转。
[0009]从从属权利要求、说明书和附图中，可与本文所述的实施例结合的进一步的优点、特征、方面和细节将显而易见。
附图说明
[0010]下面将参照附图描述细节，其中：
[0011]图1为根据本文所述的实施例的次级带电粒子成像系统的简化侧视示意图，
[0012]图2为根据本文所述的实施例的次级带电粒子成像系统的简化俯视示意图，
[0013]图3为根据本文所述的实施例的背向散射电子检测器模块与背向散射电子检测器致动器模块的简化侧视示意图，
[0014]图4A和图4B为根据本文所述的实施例的具有机械铰链关节的臂的简化伪3D表示图，所述臂作为背向散射电子检测器模块，
[0015]图5A和图5B为根据本文所述的实施例的第一角位置与第二角位置中的背向散射电子检测器模块的简化侧视示意图，
[0016]图6A和图6B为根据本文所述的实施例的第一角位置与第二角位置的背向散射电子检测器模块的孔隙与背向散射电子检测器元件的特写简化侧视示意图，
[0017]图7为根据本文所述的实施例的带电粒子束装置的简化侧视示意图，以及
[0018]图8为根据本文所述的实施例的用于操作次级带电粒子成像系统的方法图。
具体实施方式
[0019]现在将详细地参照各种实施例，实施例中的一个或多个示例图示于每一附图中。每一示例以解释的方式提供，并不意味着限制。例如，作为一个实施例的一部分图示或描述的特征可以用于任何其他实施例或与任何其他实施例结合以产生进一步实施例。本公开旨在包括此类修改和变化。
[0020]在附图的下列描述中，相同的附图标记指代相同或类似的部件。一般而言，仅描述关于各个实施例的不同之处。除非另有说明，否则一个实施例中的部分或方面的描述还适用于另一实施例中的对应部分或方面。
[0021]附图中所使用的附图标记仅用于说明。本文所述的各方面并不限于任何特定实施例。反之，除非另有说明，否则本文所述的任何方面可以与本文所述的任何其他方面或实施例组合。
[0022]图1示出次级带电粒子成像系统的简化侧视示意图。根据本文所述的实施例，次级带电粒子成像系统包括背向散射电子检测器模块。
[0023]背向散射电子检测器模块1400可以被配置成收集和/或检测电子束柱中的背向散射电子(例如，轴向背向散射电子)。例如，背向散射电子可以是信号带电粒子束1102的背向散射电子。背向散射电子检测器模块1400可以被配置成允许信号带电粒子束1102穿过。根据实施例，背向散射电子检测器模块1400可以配置成可移动和/或可旋转(诸如在第一位置5452与第二位置5454之间)。第一位置5452与第二位置5454可以是角位置。在示例中，背向散射电子模块1400可以被配置成允许信号带电粒子束1102穿过第一位置5452中的背向散射电子模块。背向散射电子模块1400可以被配置成收集和/或检测第二位置5454中的信号带电粒子束1102中的背向散射电子和/或信号。
[0024]因此，背向散射电子检测器模块1400可以包括孔隙1460。背向散射电子检测器模块1400可以包括背向散射电子检测器元件1470。孔隙1460与背向散射电子检测器元件1470可以布置于背向散射电子检测器保持器1450上。孔隙1460与背向散射电子检测器元件1470可以布置于一平面中，或者布置于彼此平行的多个平面中。例如，背向散射电子检测器元件1470被支撑在背向散射电子检测器保持器1450上，而孔隙1460形成于背向散射电子检测器保持器1450中。在另一示例中，孔隙1460可以固定于光轴1103上的位置中，而背向散射电子检测器保持器1450可以在第一位置5452与第二位置5454之间移动。光轴1103为信号带电粒子束1102的光轴。在较佳实施例中，当背向散射电子检测器模块1400处于第一位置5452时，孔隙1460布置于光轴1103上，而背向散射电子检测器元件1470布置成偏离光轴1103。在较佳实施例中，当背向散射电子检测器模块1400处于第二位置5454时，背向散射电子检测器元件1470布置于光轴1103上，而孔隙1460布置成偏离光轴1103。短语“在光轴上”可以理解成与信号带电粒子束1102的位置至少部分地、较佳地为基本上重叠或重合的位置。短语“偏离光轴”可以理解成与信号带电粒子束1102的位置至少部分地、较佳地为基本上、甚至更佳
地为完全地不同或不重叠的位置。
[0025]根据一个实施例，背向散射电子检测器模块1400包括背向散射电子检测器元件1470与孔隙1460。替代地，孔隙1460可以由凹部替换，或者背向散射电子检测器模块1400可以移动足够大的角度，而使得信号电子或信号带电粒子束1102可以在背向散射电子检测器模块1400旁边通过。
[0026]在实施例中，可以存在次级带电粒子光学装置模块和/或射束弯折器。背向散射电子检测器模块1400可以布置于次级带电粒子光学装置模块1600之前和/或射束弯折器1392之后。例如，背向散射电子检测器模块1400可以布置于次级带电粒子光学装置模块1600与射束弯折器1392之间。背向散射电子检测器模块1400、孔隙1460、和/或背向散射电子检测器元件1470可以布置于射束弯折器1392之后或射束弯折器1392的下游。背向散射电子检测器模块可以紧接或直接布置于射束弯折器之后或射束弯折本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种次级带电粒子成像系统，包含：背向散射电子检测器模块，其中所述背向散射电子检测器模块能够环绕轴线而在第一角位置(5452)与第二角位置(5454)之间旋转。2.如权利要求1所述的次级带电粒子成像系统，其中所述背向散射电子检测器模块包含背向散射电子检测器元件(1470)，并且其中在所述第二角位置(5454)中适用以下各项中的至少一者：所述背向散射电子检测器元件(1470)布置于信号带电粒子束(1102)的光轴(1103)上，所述背向散射电子检测器元件(1470)在所述射束弯折器(1392)与所述透镜系统(1610)之间，所述背向散射电子检测器元件(1470)被配置成收集信号带电粒子束(1102)的背向散射电子，以及所述背向散射电子检测器元件(1470)布置于信号带电粒子束(1102)的最小横截面的点处或者布置成与所述信号带电粒子束(1102)的最小横截面的所述点相邻。3.如权利要求1或2所述的次级带电粒子成像系统，其中所述背向散射电子检测器模块包含孔隙(1460)，并且其中在所述第一角位置(5452)中适用以下各项中的至少一者：在所述第一角位置(5452)中，所述孔隙(1460)布置于信号带电粒子束(1102)的光轴(1103)上，在所述第一角位置(5452)中，所述孔隙(1460)布置于信号带电粒子束(1102)的光轴(1103)上，所述孔隙(1460)被配置成允许信号带电粒子束(1102)穿过所述孔隙(1460)，以及所述孔隙(1460)被配置成允许信号带电粒子束(1102)穿过所述孔隙(1460)。4.如权利要求1至3中任一项所述的次级带电粒子成像系统，进一步包含射束弯折器(1392)。5.如权利要求1至4中任一项所述的次级带电粒子成像系统，其中在所述第一角位置(5452)中，所述次级带电粒子成像系统被配置成用于检测次级电子。6.如权利要求1至5中任一项所述的次级带电粒子成像系统，其中在所述第二角位置(5454)中，所述次级带电粒子成像系统被配置成用于检测背向散射电子。7.如权利要求1至6中任一项所述的次级带电粒子成像系统，进一步包含背向散射电子检测器致动器模块(3440)。8.如权利要求7所述的次级带电粒子成像系统，其中所述背向散射电子检测器致动器模块(3440)...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：ICT半导体集成电路测试有限公司，
类型：发明
国别省市：