【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法、及包括该制造方法作为工序的半导体型单层碳纳米管的制造方法、以及金属型单层碳纳米管与半导体型单层碳纳米管的分离方法。
技术介绍
[0002]近年来,纳米尺寸的碳材料由于其物理特性、化学特性,被期待应用于各种领域。作为那样的材料之一,有碳纳米管(以下,也存在称为“CNT”的情况。)。CNT具有将石墨烯片卷绕成圆筒状而成的结构,圆筒仅由一层构成的CNT被称为单层碳纳米管(Single
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walled Cabon Nanotube,以下也存在称为“SWCNT”的情况。)。
[0003]已知CNT的电物性等根据石墨烯片的卷绕方式、直径等而不同。特别是SWCNT的量子效应的影响大,因而存在显示金属性的SWCNT(金属型CNT)和显示半导体性的SWCNT(半导体型CNT)。作为SWCNT的制造方法,已知高压一氧化碳歧化法(HiPco法)、改良直喷热解合成法(e
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DIPS法)、电弧放电法、激光剥 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法,其包括:制备被分离单层碳纳米管分散液的工序A,所述被分离单层碳纳米管分散液含有包含半导体型单层碳纳米管和金属型单层碳纳米管的单层碳纳米管、水性介质、以及包含源自下式(1)所表示的单体的结构单元A和源自下式(3)所表示的单体的结构单元B的共聚物;以及将所述被分离单层碳纳米管分散液离心分离后,从经离心分离的所述被分离单层碳纳米管分散液中提取包含所述半导体型单层碳纳米管的上清液的工序B,CH2=CH-COOM
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(1)式(1)中,M表示氢原子、金属原子、或下式(2)所表示的结构的基团,式(2)中,R1、R2、R3、R4各自独立地表示氢原子、或任选具有羟基的碳数为1以上且2以下的烷基,CH2=CR5-COO-(CH2CH2O)
q
-H
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(3)式(3)中,R5表示氢原子或甲基,q表示亚乙基氧基的平均加成摩尔数,为2~120。2.根据权利要求1所述的半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法,其中,所述共聚物的全部结构单元中的结构单元A的含量为55mol%以上且小于100mol%。3.根据权利要求1或2所述的半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法,其中,所述共聚物的全部结构单元中的结构单元B的含量超过0mol%且为45mol%以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法,其中,所述共聚物的全部结构单元中的结构单元A和结构单元B的合计含量为80mol%以上且100mol%以下。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法,其中,所述共聚物中的结构单元A与结构单元B的摩尔比、即A/B为1.2以上且300以下。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法,其中,在所述工序A中,在所述被分离单层碳纳米管分散液的制备中使用的所述单层碳纳米管的平均直径为0.5nm以上且2nm以下。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法,其中,所述工序B中得到的上清液的半导体型单层碳纳米管的分离性为1.3以上,在此,所述半导体型单层碳纳米管即半导体型SWCNT的分离性是根据下式求得的值,8.一种半导体型单层碳纳米管的制造方法,其包括将通过权利要求1至7中任一项所述的半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法所得到的半导体型单层碳纳米管分散液进行过滤而提取半导体型单层碳纳米管的工序。
9.一种半导体型单层碳纳米管的制造方法,其包括:将通过权利要求1至7中任一项所述的半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法所得到的半导体型单层碳纳米管分散液进行干燥而得到包含半导体型单层碳纳米管和所述聚合物的混合物的工序;以及从所述混合物去除所述共聚物而提取半导体型单层碳纳米管的工序。10.一种半导体型单层碳纳米管的制造方法,其将通过权利要求1至7中任一项所述的半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法所得到的半导体型单层碳纳米管分散液作为半导体型单层碳纳米管得到,而不进一步进行分离处理。11.一种半导体型单层碳纳米管与金属型单层碳纳米管的分离方法,其包括:制备被分离单层碳纳米...
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