一种新型结构的磁共振超导磁体制造技术

技术编号:34082128 阅读:30 留言:0更新日期:2022-07-11 19:07
本发明专利技术涉及超导磁体技术领域,尤其涉及一种新型结构的磁共振超导磁体,包括低温杜瓦,还包括设置在低温杜瓦内部的主线圈和屏蔽线圈,屏蔽线圈设置在主线圈的外侧;屏蔽线圈上远离磁体中心的端部到磁体中心的轴向距离大于主线圈上远离磁体中心的端部到磁体中心的轴向距离;所述低温杜瓦的两端均设有向磁体中心内凹的凹陷部,凹陷部位于主线圈和屏蔽线圈之间。该磁共振超导磁体,屏蔽线圈对成像区域的主磁场的抵消能力减弱,主线圈和屏蔽线圈的电流较小、主线圈和屏蔽线圈受到的最大应力小,磁体运行更加稳定;低温杜瓦的容积小,液氦用量少,减少磁体的制造成本和使用成本;且超导磁体中心孔的长度短;便于医生进行超导磁共振介入手术。振介入手术。振介入手术。

【技术实现步骤摘要】
一种新型结构的磁共振超导磁体


[0001]本专利技术涉及超导磁体
,尤其涉及一种新型结构的磁共振超导磁体。

技术介绍

[0002]磁共振用的超导磁体通常由主线圈和屏蔽线圈组成。主线圈位于超导磁体的内侧,用于产生成像区域内的主磁场。屏蔽线圈位于超导磁体的外侧,屏蔽线圈产生的磁场方向与主线圈的磁场方向相反,以此来抵消主线圈在超导磁体外围产生的磁场,屏蔽线圈具有屏蔽主线圈磁场的作用,可以将磁体外面的杂散场大大减小,减少对超导磁体周围其他设备的干扰。屏蔽线圈的屏蔽原理是产生反向的磁场与主线圈磁场相抵消,以减小磁体外面的杂散场。
[0003]现有技术中,超导磁体设计时通常会约束屏蔽线圈的轴向尺寸小于或等于主线圈的轴向尺寸,因此设计出的超导磁体的结构,通常在轴向上屏蔽线圈的外端部一般都与主线圈平齐,或短与主线圈。
[0004]屏蔽线圈能抵消磁体外围的主线圈磁场,同样屏蔽线圈也会抵消一部分成像区域的主线圈磁场。因此,为了保持成像区域的磁场强度,需要增大主线圈的安匝数,提高成像区域的磁场强度。
[0005]主线圈安匝数增大,会造成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型结构的磁共振超导磁体,包括低温杜瓦(7),其特征在于:还包括设置在低温杜瓦(7)内部的主线圈(2)和屏蔽线圈(4),屏蔽线圈(4)设置在主线圈(2)的外侧;屏蔽线圈(4)上远离磁体中心的端部到磁体中心的轴向距离大于主线圈(2)上远离磁体中心的端部到磁体中心的轴向距离;所述低温杜瓦(7)的两端均设有向磁体中心凹的凹陷部,所述凹陷部位于主线圈(2)和屏蔽线圈(4)之间。2.如权利要求1所述的新型结构的磁共振超导磁体,其特征在于:所述低温杜瓦(7)还包括由内而外依次设置的主线圈骨架(1)、两个主线圈法兰(5)、两个屏蔽线圈骨架(3)和低温杜瓦外筒(6);主线圈(2)设置在主线圈骨架(1)上,屏蔽线圈(4)设置在屏蔽线圈骨架(3)上;主线圈骨架(1)的两端分别通过一个主线圈法兰(5)与屏蔽线圈骨架(3)固定连接;屏蔽线圈骨架(3)的外侧设有所述低温杜瓦外筒(6);所述凹陷部设置在主线圈法兰(5)上。3.如权利要求2所述的新型结构的磁共振超导磁体,其特征在于:所述主线圈法兰(5)的断面为L型结构,主线圈法兰(5)包括固定在一起的第五连接筒(28)和第七平板(29),第七平板(29)为环形的平板结构;第五连接筒(28)一端固定在主线圈骨架(1)的端部,另一端固定在第七平板(29)的内圆周上;第七平板(29)的外圆周固定在屏蔽线圈骨架(3)上靠近磁体中心的一端;主线圈法兰(5)的第七平板(29)向靠近磁体中心的方向内凹,形成所述凹陷部。4.如权利要求3所述的新型结构的磁共振超导磁体,其特征在于:还包括依次套装在低温杜瓦(7)外侧的冷屏(9)和温室杜瓦(13),低温杜瓦(7)和温室杜瓦(13)间设有多组拉杆组件(30);低温杜瓦(7)通过多组拉杆组件(30)吊装在温室杜瓦(13)上;拉杆组件(30)的一端固定在温室杜瓦(13)上,另一端固定在低温杜瓦(7)的第五连接筒(28)上。5.如权利要求4所述的新型结构的磁共振超导磁体,其特征在于:所述拉杆组件(30)包括拉杆(31)、低温拉杆座(32)和室温拉杆座(33),低温拉杆座(32)固定在主线圈法兰(5)的第五连接筒(28)上;室温拉杆座(33)安装在温室杜瓦(13)的端部;拉杆(31)的一端固定在低温拉杆座(32)上,另一端固定在室温拉杆座(33)上。6.如权利要求2所述的新型结构的磁共振超导磁体,其特征在于:所述主线圈骨架(1)的外侧设有多个绕线槽(8),每个绕线槽(8)内均设有线圈,多个线圈共同组成所述主线圈(2)。7.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员:李培勇程东芹刘大鹏刘宇高沪光张德鹏陈强陆瑶周彤
申请(专利权)人:山东奥新医疗科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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