【技术实现步骤摘要】
一种非稳压中间母线变换器及其控制芯片
[0001]本专利技术属于电源变换
，具体涉及一种非稳压中间母线变换器及其控制芯片。
技术介绍
[0002]随着网络与通信技术以及高速服务平台等终端系统的更新换代，其电源系统也开始向更多路的输出电压、更大的输出电流、更小的元件尺寸的方向转变，在此背景下，保证一定性能的同时兼具有高效、可靠、低成本等特点的分布式电源架构（Distributed Power Architecture, DPA）被提出来，而中间母线架构（Intermediate Bus Architecture, IBA）正是分布式电源架构之一，如图1所示。作为目前应用最广泛的分布式电源系统结构，中间母线架构电源系统由前端变换器、中间母线变换器（Intermediate Bus Converter, IBC）以及负载点变换器等组成，其中，中间母线变换器负责将48V变换成12V并实现电气隔离，本专利技术提供了一种体积更小巧、功率密度更大、效率更高而且成本较低的非稳压中间母线变换器。
技术实现思路
[0003...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种非稳压中间母线控制芯片，控制芯片包括内部低压电源模块、过流检测模块、逻辑控制模块、驱动输出模块及软启动模块，其特征在于，控制芯片还包括时钟模块，其中时钟模块包括：压流转换器，由运算放大器AMP1、NMOS管（N1，N2，N3，N4，N5）、PMOS管（P1，P2）组成，实现对输出PWM信号死区时间的精准控制；震荡器电路，由PMOS管P3、运算放大器（AMP2，AMP3）、反相器（INV1，INV2，INV3，INV4，INV5）、与门AND1和触发器RS1组成，用于产生高频时钟信号。2.根据权利要求1所述的一种非稳压中间母线控制芯片，其特征在于， 所述运算放大器AMP1的输出端接NMOS管N1的栅端，NMOS管N1的漏端连接PMOS管P1的漏端，PMOS管P1和PMOS管P2的源端连接电压VA5V，PMOS管P2的漏端连接NMOS管N2的漏端，NMOS管N2的源端接地，NMOS管N3的源端接地，NMOS管N3的漏端接NMOS管N2的源端，NMOS管N3的栅端接电压VA5V，NMOS管N2的栅端连接NMOS管N4的栅端，NMOS管N4的源端连接NMOS管N5的漏端。3.根据权利要求2所述的一种非稳压中间母线控制芯片，其特征在于，所述NMOS管N4的漏端连接PMOS管P3的漏端，PMOS管P3的源端连接电压VA5V，NMOS管N4和PMOS管P3之间连接运算放大器AMP2的正输入端、运算放大器AMP3的负输入端及CT管脚，运算放大器AMP3的输出端连接反相器INV1的输入端，反相器INV1的输出端和运算放大器AMP2的输出端分别连接与门AND1的输入端，反相器INV1的输出端连接反相器INV2的输入端，反相器INV2的输出端连接触发器RS1的输入端R，与门AND1的输出端连接触发器RS1的输入端S，触发器RS1的输出端Q连接反相器INV3的输入端，反相器INV3的输出端连接反相器INV4和反相器INV5的输入端，反相器INV4的输出端连接PMOS管P3的栅端，反相器INV5的输出端连接NMOS管N5的栅端。4.一种非稳压中间母线变换器，其特征在于，所述变换器包括由权利要求1至3任意一项所述的控制芯片U1、电阻R
RTD
、电容C
CT
和电容C
SS
组成的主控电路，电阻R
RTD
接控制芯片U1的RTD管脚，电容C
CT
接控制芯片U1的CT管脚，电容C
SS
接控制芯片U1的SS管脚，电阻R
RTD
和电容C
CT
的值决定时钟的波形，电容C
CT
的容值越大，时钟频率越低；电阻R
RTD
的阻值越大，输出信号间的死区时间越长。5.根据权利要求4所述的一种非稳压中间母线变换器，其特征在于，模块开启后，运算放大器AMP1和NMOS管N1组成电压跟随器，在RTD管脚上得到恒定电压信号V
RTD
，电阻R
RTD
得到电流I
RTD
=V
RTD
/R
RTD
，该电流经过PMOS管P1和PMOS管P2，NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4及NMOS管N5组成的电流镜放大后，成为CT脚上的放电电流I
DCH
=K*I
RTD 。6.根据权利要求5所述的一种非稳压中间母线变换器，其特征在于，在电容C
CT
经过t1=(2V*C
CT
)/I
技术研发人员：谭在超，肖会明，罗寅，丁国华，
申请(专利权)人：苏州锴威特半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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