【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化硼粒子及其制造方法
[0001]本专利技术涉及氮化硼粒子及其制造方法。
技术介绍
[0002]在晶体管、晶闸管、CPU等电子部件中,将使用时产生的热高效地散热成为重要的问题。因此,与这样的电子部件一同使用具有高导热性的散热部件。另一方面,氮化硼粒子由于具有高导热性及高绝缘性,因而广泛用作散热部件中的填充材料。
[0003]例如,专利文献1中,作为显示高导热性且在功率半导体器件等中所需的放热片中非常有用的氮化硼聚集粒子组合物,公开了一种氮化硼聚集粒子组合物,该氮化硼聚集粒子组合物是平均粒径(D
50
)为1μm~200μm的氮化硼聚集粒子的组合物,其特征在于满足规定的条件。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2017
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036190号公报
技术实现思路
[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]近年来,搭载有电子部件的装置中,由于信号的高速传输化、大容量化持续发展,因而对散热部件也要 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.氮化硼粒子的制造方法,其具备:反应工序,将包含硼酸酯的第1气体和包含氨的第2气体从筒状的反应器的一端面各自分别地导入反应器内,在所述反应器内,使所述硼酸酯与所述氨于750℃以上进行反应,得到氮化硼粒子的前体;和加热工序,将所述氮化硼粒子的前体于1000℃以上进行加热,得到氮化硼粒子,在所述反应工序中,将所述第1气体从2个以上的导入口导入所述反应器内,并且将所述第2气体从2个以上的导入口导入所述反应器内。2.如权利要求1所述的制造方法,其中,从所述2个以上的导入口导入的所述第1气体之中的、至少从1个导入口导入的所...
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