声表面波装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种选择性即温度特性优良的小型宽通带表面声波装置。本发明专利技术的表面声波装置在一个基片表面上包括一根叉指型电极，该基片由化学式Ｌａ↓［３］Ｇａ↓［５］ＳｉＯ↓［１４］代表的、且属于点群３２的ｌａｎｇａｓｉｔｅ单晶组成。当从ｌａｎｇａｓｉｔｅ单晶切出基片的切削角和在基片上表面声波的传播方向按照欧拉角（Φ、θ、Ψ）表示时，发现Φ、θ、和Ψ在分别由Φ＝－５至５°、θ＝１３６至１４６°、及Ψ＝２１至３０°代表的区域内。在归一化厚度ｈ／λ（％）与指示表面声波传播方向的所述Ψ（°）之间的关系由下式给出，其中叉指型电极的厚度ｈ用表面声波的波长λ归一化，当Ψ≤２５．５°时－３．７９（ｈ／λ）＋２３．８６≤Ψ≤－５．０８（ｈ／λ）＋２６．９６并且当Ψ＞２５．５°时，以上关系由下式给出４．３９（ｈ／λ）＋２４．３０≤Ψ≤３．５４（ｈ／λ）＋２７．１７。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在一个基片表面上包括一根叉指型电极的表面波装置，其中：所述基片是由化学式Ｌａ↓［３］Ｇａ↓［５］ＳｉＯ↓［１４］代表的、且属于点群３２的ｌａｎｇａｓｉｔｅ单晶组成，当从ｌａｎｇａｓｉｔｅ单晶切出的所述基片的切削角和在所述基片上表面声波的传播方向按照欧拉角（φ、θ、Ψ）表示时，发现φ、θ、和Ψ在分别由φ＝－５至５°、θ＝１３６至１４６°、及Ψ＝２１至３０°代表的区域内，及当Ψ≤２５．５°时，在归一化厚度ｈ／λ（％）与指示表面声波传播方向的所述Ψ（°）之间的关系由下式给出，其中所述叉指型电极的厚度ｈ用表面声波的波长λ归一化－３．７９（ｈ／λ）＋２３．８６≤Ψ≤－５．０８（ｈ／λ）＋２６．９６并且当Ψ＞２５．５°时，所述关系由下式给出４．３９（ｈ／λ）＋２４．３０≤Ψ≤３．５４（ｈ／λ）＋２７．１７。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：井上宪司，佐藤胜男，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]