【技术实现步骤摘要】
该专利技术涉及杂波抑制装置,特别地是用于抑制通过一接口电缆或者一个电源线辐射的高频率的杂波的一个杂波抑制装置。通常,其中有形成在铁氧体表面上或者形成在铁氧体内的一个线圈的一电感元件被用于抑制通过信号电缆或者电源线泄漏的杂波。通常被用于这类电感元件的陶瓷铁氧体符合斯诺克(Snoeks′)限制。根据斯诺克限制,在一个比较低的频带中,高导磁率陶瓷铁氧体的导磁率趋向于减少。例如,当使用具有一个相对导磁率为500的铁氧体时,在高于几兆赫兹的频带里,铁氧体的导磁率具有开始减少的趋势,并且在更高的频带具有进一步减少的趋向。在上文的包括象陶瓷铁氧体这样的磁体的电感元件中,杂波抑制作用能在几十到几百兆赫兹的低频带获得。反过来,在一个高频带区,随着磁体的导磁率的减少,因为杂波抑制作用的降低,该杂波不能充分地抑制。当具有一个低导磁率的陶瓷铁氧体被使用时,一个恒定的导磁率被维持直到一个相对较高的频带。然而,有一个问题,即在高频带获得该磁体的一个所要求的阻抗,它造成在该低频带阻抗降低。当具有相对导磁率约为15的一个陶瓷铁氧体被使用时,遵守斯诺克限制,在约高于100MHz的频带中导磁率开始减少 ...
【技术保护点】
一种杂波抑制装置,其特征在于包括:一个磁体;设置在所述磁体中一个螺旋导线;一对外部电极,设置在所述磁体的表面上并且电连接到所述螺旋导线的相对端;以及一个接地电极,它布置在所述一对外部电极之间并且至少覆盖所述磁体的表面的主要的 部分。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:内田胜之,杉谷昌美,
申请(专利权)人:株式会社村田制作所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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