边缘反射式表面声波装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种边缘反射式表面声波装置，它包括表面声波基片，该基片具有一对相对的边缘，还包括至少一个位于表面声波基片上的叉指式换能器。通过叉指式换能器产生切向水平式表面声波，并在相对的边缘对之间反射。沿表面声波传播方向，将叉指式换能器分为多个子ＩＤＴ部分。使相邻的子ＩＤＴ部分之间相互非常接近的叉指式换能器的电极指处于同一电位，从而在相邻的子ＩＤＴ部分之间不激励。另外，当假设在切割基片之前，最外面电极指沿叉指式换能器的表面声波传播方向的宽度等于剩下的电极指的宽度时，如此安排边缘，从而在沿着表面声波传播方向的最外面电极指的中心的内侧位置切割边缘，从而基片相对边缘之间的距离不是λ＃－［０］／２的整数倍。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用切向水平式表面声波的边缘反射式表面声波装置以及边缘反射式表面声波滤波器，本专利技术尤其涉及一种包含分开的叉指式换能器(IDT)的边缘反射式表面声波装置和边缘反射式表面声波滤波器。近年来，人们对使用切向水平(SH)式表面声波(诸如Bleustein-Gulyaev-Shimizu(BGS)波或拉夫波)的边缘反射式表面声波装置引起了注意。这种边缘反射式表面声波装置包括设置在表面声波基片上的IDT，并且在表面声波基片的两个相对的边缘上反射SH式表面声波。相应地，由于不必沿表面声波传播方向将反射器设置在DIT外面，表面声波装置的尺寸可以得到减小。在第5-291869号日本未审查专利公告中，提供了一种边缘反射式表面声波装置，其中将IDT设置在表面声波基片上，并将IDT分为多个子IDT部分。在这种装置中，由于将IDT分开，从而使多个子IDT部分沿表面声波传播方向安排，可以增加阻抗和电容。但是，在第5-291869号日本未审查专利公告中描述的边缘反射式表面声波装置中，当将IDT分为多个子IDT部分时，在频率特性中可能产生不理想的波动(寄生响应)。由此，需要选择IDT电极指的对数，以防止这种波动。换句话说，由于IDT的电极指的对数受到限制，很难在不产生不理想波动的情况下得到各种频率特性。为了克服上述问题，本专利技术的较佳实施例提供了一种使用SH型表面声波的边缘反射式表面声波装置和边缘反射式表面声波滤波器，其中将IDT分为多个子IDT部分，即使是在改变IDT的电极指的对数以获得各种频率特性时也能够使发生在频率特性中的不理想的波动最小化，从而得到极好的谐振特性和滤波器特性。在根据本专利技术的较佳实施例的边缘反射式表面声波装置中，将IDT分为多个子IDT部分，并且使在相邻的子IDT部分之间相互非常接近的电极指处于相同的电位，从而在这些电极指之间不发生激励。当假设IDT沿表面声波传播方向的最外面的宽度基本上等于剩下的电极指的宽度时，表面声波基片的相对的两个边缘如此安排，从而相对的两个边缘之间的距离不是λ0/2的整数倍，这是通过在沿表面声波传播方向的最外面电极指中心的内侧位置切割边缘而实现的。由此，由于分开IDT而得到的IDT的频谱中(2N-2)模的频率接近于由相对的两个边缘之间的距离确定的模的频率，结果是有效地使不必要的波动最小化。由此，通过分开的IDT，可以提供一种边缘反射式表面声波装置，它具有极好的谐振特性，其中阻抗和电容得到增加，但是几乎不因电极指对数上的限制而有影响。在根据本专利技术的另一个较佳实施例的边缘反射式表面声波装置中，提供了一种结构，将IDT分为多个子IDT部分，并将在相邻的子IDT部分之间相互非常接近的电极指连接到不同的电位，从而在电极指之间产生加倍激励。当假设切割基片之前，IDT沿表面声波传播方向的最外面的宽度等于剩下的电极指的宽度时，如此安排表面声波基片的相对的两个边缘，从而在沿表面声波传播方向的最外面电极指的中心的外侧位置切割边缘，从而基片的相对边缘之间的距离不是λ0/2的整数倍。结果，由分开IDT得到的IDT的频谱上的(2N-2)模的频率接近于由相对的两个边缘之间的距离确定的模的频率，结果，可以有效地使不必要的波动最小化。由此，通过分开的IDT，可以提供一种边缘反射式表面声波装置，它具有极好的谐振特性，其中阻抗和电容增加了，并且几乎不因为电极指对数上的限制而有影响。另外，在每一个根据本专利技术的较佳实施例的边缘反射式表面声波装置中，当边缘的位置a在大约±0.036λ0的范围内满足等式(1)时，可以将不必要的波动抑制到大约0.5dB或更低的值，结果，得到更为改进的谐振特性。另外，当边缘的位置a在大约0.018λ0满足等式(1)时，上述波动的大小是大约0.2dB或更低的值，从而达到更为改进的谐振特性。另外，如果如此安排沿表面声波传播方向的最外面电极指，从而最外面电极指延伸到由表面声波基片的边缘和上表面确定的边缘时，可以得到类似的优点。如上所述，本专利技术的较佳实施例提供了一种边缘反射式表面声波装置，其中将具有多个子IDT部分的分开的IDT设置在表面声波基片上。但是，当制备了多个根据本专利技术的较佳实施例的边缘反射式表面声波装置，并通过耦合多个边缘反射式表面声波装置形成滤波器时，通过分开IDT，可以大大增加阻抗和电容。结果，容易地形成具有不同阻抗和电容的边缘反射式表面声波装置。由此，例如，当构成梯形滤波器时，通过使用根据本专利技术的较佳实施例的边缘反射式表面声波装置产生一种包含串联臂谐振器和并联臂谐振器的适当结构，结果容易地得到极好的滤波器特性。可以将根据本专利技术的较佳实施例的边缘反射式表面声波装置用作带通滤波器。在这种情况下，使不必要的波动最小化，并得到极好的滤波器特性。为了说明本专利技术，在附图中示出几种形式，它们是目前已知的较好的，但是，本专利技术不限于图中所示的精确的安排和手段。附图说明图1A是根据本专利技术的较佳实施例的边缘反射式表面声波装置的平面图。图1B是图1A所示的边缘反射式表面声波装置的切割了的平面图。图2示出当将边缘的位置a设置为0μm时(传统的位置)得到的边缘反射式表面声波装置1的插入损耗—频率特性。图3示出当将边缘的位置a设置为大约-1.2μm(-0.023λ0)时得到的边缘反射式表面声波装置1的插入损耗—频率特性。图4示出当将边缘的位置a设置为大约-1.5μm(-0.028λ0)时得到的边缘反射式表面声波装置1的插入损耗—频率特性。图5示出当将边缘的位置a设置为大约-2.0μm(-0.038λ0)时得到的边缘反射式表面声波装置1的插入损耗—频率特性。图6示出当将边缘的位置a设置为大约-2.7μm(-0.051λ0)时得到的边缘反射式表面声波装置1的插入损耗—频率特性。图7示出当将边缘的位置a设置为大约-3.4μm(-0.064λ0)时得到的边缘反射式表面声波装置1的插入损耗—频率特性。图8示出当将边缘的位置a设置为大约-3.9μm(-0.073λ0)时得到的边缘反射式表面声波装置1的插入损耗—频率特性。图9示出一个平面图，说明根据本专利技术的另一个较佳实施例的，具有分为三个部分的O激励式IDT的边缘反射式表面声波装置。图10示出一个平面图，说明根据本专利技术的另一个较佳实施例的，具有分为四个部分的O激励式IDT的边缘反射式表面声波装置。图11示出一个平面图，说明根据本专利技术的另一个较佳实施例的，具有分为两个部分的加倍激励式IDT的边缘反射式表面声波装置。图12示出一个平面图，说明根据本专利技术的另一个较佳实施例的，具有分为三个部分的加倍激励式IDT的边缘反射式表面声波装置。图13示出一个平面图，说明根据本专利技术的另一个较佳实施例的，具有分为四个部分的加倍激励式IDT的边缘反射式表面声波装置。图14示出一个曲线图，说明在根据本专利技术的较佳实施例的边缘反射式表面声波装置中边缘的位置和谐振频率之间的关系。图15示出一个曲线图，说明根据本专利技术的较佳实施例的边缘反射式表面声波装置中边缘的位置和出现波动的位置之间的关系。图16示出一个曲线图，说明具有分开结构的IDT和不具有分开结构的IDT的频谱。图17示出一个平面图，说明具有不分开的IDT的传统的边缘反射式表面声波装置。图18示出一个曲线图，说明电极指的对数与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种边缘反射式表面声波装置，其特征在于包含： 具有一对相对的边缘的表面声波基片；及 至少一个叉指式换能器设置在表面声波基片上，并安排得产生切向水平式表面声波，从而切向水平式表面声波在一对相对的边缘之间反射； 其中，叉指式换能器包括电极指，并沿表面声波传播方向分为多个子ＩＤＴ部分，在相邻的子ＩＤＴ部分之间相互非常靠近的电极指的电位相同，以便不在相邻的子ＩＤＴ部分之间激励；及 其中，相对的边缘对通过切割表面来确定，并且当假设最外面电极指沿叉指式换能器的表面声波传播方向的宽度等于剩下的电极指的宽度时，相对的边缘对由切割表面确定，所述切割表面位于表面声波传播方向中最外面电极指的中心内侧。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：门田道雄，吾乡纯也，堀内秀哉，池浦守，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]