纵向耦合谐振器型表面声波滤波器制造技术

一种纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，包括压电基片和第一、第二与第三ＩＤＴ，所述ＩＤＴ设置在压电基片上且沿表面波传播方向排列，使第二ＩＤＴ插在第一与第三ＩＤＴ之间。各第一、第二与第三ＩＤＴ都有多根电极指。第一与第二ＩＤＴ在它们相邻的各端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比其余电极指间距更窄。第二与第三ＩＤＴ在它们相邻的各端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比其余电极指间距更窄。第一与第二ＩＤＴ中窄电极指间距部分的电极指间距，不同于第二与第三ＩＤＴ中窄电极指间距的电极指间距。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，其特征在于包括： 压电基片；和 设置在压电基片上并沿表面波传播方向排列而第二ＩＤＴ插在第一与第三ＩＤＴ之间的第一、第二和第三ＩＤＴ，各ＩＤＴ有多根电极指；其中 第一与第二ＩＤＴ在它们相邻的各个端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比其余电极指间距更窄； 第二与第三ＩＤＴ在它们相邻的各个端部具有窄电极指间距部分，其电极指间距比其余电极指间距更窄；和 第一与第二ＩＤＴ中窄电极指间距部分的电极指间距，不同于第二与第三ＩＤＴ中窄电极指间距部分的电极指间距。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：高峰裕一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]