ZnO/蓝宝石基片及其制造方法技术

提供结晶性优良、没有裂缝的（１，１，＊，０）ＺｎＯ附晶定向生长膜在（０，１，＊，２）Ｒ面蓝宝石上附晶定向生长的ＺｎＯ／蓝宝石基片。该ＺｎＯ／蓝宝石基片通过使氧化锌膜在（０，１，＊，２）结晶面与基片表面平行的Ｒ面蓝宝石上附晶定向生长、使氧化锌（ＺｎＯ）的（１，１，＊，０）结晶面与该（０，１，＊，２）结晶面平行而得到，其特征在于，使上述ＺｎＯ的（１，１，＊，０）面的面间隔ｄ为１．６２３＊≤ｄ≤１．６２７＊。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可以用于例如表面波装置用基片材料和、各种工学材料、半导体材料等中的，更详细地讲，涉及在(0，1，1，2)R面蓝宝石基片上层压(1，1，2，0)ZnO膜的。现有技术目前，作为弹性表面波装置等的基片材料，使用各种压电基片。在“JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 45(1978)346～349”中，作为这种基片材料，公开了通过在(0，1，1，2)蓝宝石基片上磁控管溅射(1，1，2，0)ZnO单晶膜形成的结构。
技术实现思路
使ZnO单结晶膜在R面蓝宝石上附晶定向生长时，可以在较大范围的成膜条件下进行附晶定向生长。但是，本专利技术者发现，使(1，1，2，0)ZnO膜在R面蓝宝石上附晶定向生长时，ZnO膜中会产生残留应力，ZnO膜会经常开裂。本专利技术的目的是，鉴于上述现有技术的现状，提供没有开裂、可用于各种装置中的质量优良的(1，1，2，0)ZnO/(0，1，1，2)R面蓝宝石基片及其制造方法。本专利技术者考虑到由于ZnO和蓝宝石的晶格常数不配等引起ZnO膜中的残留应力而发生上述ZnO膜中的裂缝，为了完成上述课题进行了专心研究，结果完成了本专利技术。因此，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
ＺｎＯ／蓝宝石基片，它通过使氧化锌膜在（０，１，＊，２）结晶面与基片表面平行的Ｒ面蓝宝石上附晶定向生长、使氧化锌（ＺｎＯ）的（１，１，＊，０）结晶面与上述（０，１，＊，２）结晶面平行而得到， 其特征在于，上述ＺｎＯ的（１，１，＊，０）的面间隔ｄ为１．６２３＊≤ｄ≤１．６２７＊。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：小池纯，家木英治，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]