相位补偿的阻抗变换器制造技术

技术编号:3406970 阅读:136 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
集成电路,例如,回转器电路包含晶体管,晶体管优选MOS元件,并具有补偿MOS元件中的沟道延时效应的串联反馈网络。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种集成电路回转器,具有和其中至少一些晶体管关联的串联反馈,其中串联反馈由多个不同大小不同且电容补偿的反馈晶体管的至少一个叠加提供,从而补偿回转器里晶体管的非准静态延时效应。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:S马特蒂森
申请(专利权)人:艾利森电话股份有限公司
类型:发明
国别省市:SE[瑞典]

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