电子元件及其制造方法技术

一种电子元件，包括：　　　　基片；　　　　所述基片上设置的至少一个压电振动部分和连接部分；　　　　结构部件，由树脂材料制成，具有平板形状，并至少覆盖至少一个压电振动部分；其中　　　　所述结构部件具有整体式结构，并设有包括上部和侧壁的凹部，用于覆盖至少一个压电振动部分，所述凹部确定一个至少不致干扰压电振动部分振动的空间。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于诸如便携式电话等通信领域或电视中的电子学电路的电子元件，其中包括设置在基片上的至少一个压电振动部分和连接部分。
技术介绍
这样一些电子元件的基本结构包括设在基片上的压电振动部分，压电振动部分容纳在经过气密密封的封装中，为的是保证它的可靠性。与压电振动部分上表面对应的一部分封装所包括的空间使基片上设置的压电振动部分的振动不受阻碍。使用金属或陶瓷制成之封装以保证可靠性。然而，上述的结构增加了封装的尺寸。这妨碍了电子元件的尺寸减小。况且，在基片上必须设置电连接，用于输入-输出，以实现其上形成之压电振动部分的特性。为了提供这样的电连接，在基片上设置的连接部分以及其它所需的连接部分都要借助导线或突起有效地电连接。然而，这增加了电子元件的尺寸。下述电子元件已被公开(比如参见日本未审专利申请出版物No.1996-330894(专利文献1))。在具有压电基片的表面声波器件中，压电基片上设置多个元件，玻璃元件具有使表面声波能够振动的空间，并且其热胀系数与压电基片的热胀系数相符，压电基片与玻璃元件彼此是阳极结合的，而且被密封。另外，所述玻璃元件中设有一个通孔，使压电基片能够与外部电连接。于是，电子元件本身限定封装的基底。然而，包括用玻璃元件密封之压电基片在内的上述电子元件具有如以问题。按照专利文献1，为了密封设在压电基片上的IDT电极，使玻璃元件与压电基片阳极接合，所述玻璃元件具有设在IDT电极上部的空间，因而不会干扰振动。但一般地说，压电基片的绝缘性很高。因此，为了加给电场，必须在结合部分设置导电元件。因此，在各结合部分就不可能再设置导线。因而，不能充分地减小电子元件的尺寸。而且，玻璃元件的热胀系数必须等于压电基片的热胀系数。因此，所用的玻璃元件包含运动的离子，如锂离子、钠离子或其它离子。运动的离子对于比如铝这样的电极材料有腐蚀作用。因此，运动的离子大大降低电子元件的可靠性。作为在玻璃元件中形成空间的方法，通过溅射或其它适宜的方法使金属成形为掩模，并用氢氯酸或其它适宜的蚀刻物质使金属受到蚀刻，形成空间。这些过程极大地增加了制造成本。另外，利用电化学放电钻孔技术或超声钻孔技术，以在玻璃部件中形成通孔。这种技术受到所要形成之通孔的尺寸限制，因此，不能用在大规模生产中，而且非常昂贵。再有，在晶片上形成通孔的整个过程中，由于玻璃部件的机械强度低，所以玻璃部件易于碎裂或损坏。在使用上述结构时，必须减小密封盖的厚度，以减小电子元件的高度。然而，当减小密封盖厚度的时候，密封盖的机械强度亦随之减小。因此，在制造过程中，密封盖经常破裂。
技术实现思路
为克服上述问题，本专利技术的各优选实施例提供一种电子元件，它包括基片；设在基片上的至少一个压电振动部分和连接部分；由树脂材料制成的结构部件具有平板形状，并且至少盖住所述压电振动部分；结构部件是一体结构，包括覆盖压电振动部分的上部，以及侧壁，结构部件设有凹部，以提供一个空间，至少不会阻碍压电振动部分的振动。所述结构部件至少密封所述压电振动部分。所述结构部件最好包括设于其上部表面的安装部分和用于使安装部分于连接部分电连接的连接导线。此外，所述安装部分最好沿着所述结构部件的厚度方向不与所述连接部分重叠。此外，最好利用激光束通过粗加工(half-processing)由树脂材料制成的结构部件而形成所述凹部。而且，最好通过对树脂材料制成的结构部件进行光刻过程而形成所述凹部。更为优选的是，最好由聚酰胺膜或液晶聚合物膜形成所述结构部件。优选地，使用光敏材料制成所述结构部件。本专利技术的优选实施例给出一种电子元件的制造方法，所述电子元件包括基片；设在基片上的至少一个压电振动部分和连接部分；由树脂材料制成的结构部件具有平板形状，并盖住所述压电振动部分。所述制造方法包括如下步骤在所述结构部件中形成凹部和通孔；使所述结构部件的凹部与所述压电振动部分对准并接合，还使所述通孔与连接部分对准并接合的同时，以便由所述结构部件的凹部密封所述压电振动部分；在所述结构部件的上表面形成安装部分；以及形成连接导线，用以使所述连接部分和安装部分电连接。最好利用激光束形成所述凹部和通孔。更为优选的是，利用光刻法形成所述凹部和通孔。首选在光刻方法中使用光掩模作为电子元件的制造方法，而且这种光掩模包括一部分与凹部对应的以及一部分与通孔对应的。前一部分光掩模包含两种图案，一种图案中的光敏材料处于在显影时不能完全除去的曝光状态，另一种图案中的光敏材料达到显影时光敏材料将阻止显影液发挥作用的曝光状态；后一部分光掩模包含一种图案，其中的光敏材料处于在显影时能完全除去光敏材料的曝光状态。按照本专利技术各优选实施例的电子元件，所述结构部件包括使所述压电振动部分能够振动的空间，而且所述结构部件用于密封压电振动部分。相应地，使所述电子元件的高度和尺寸减小。可将所述结构部件安装在基片上，与基片上的导线交错。因此，使芯片尺寸被大大减小。另外，使设在基片上的连接部分与安装部分形成电连接过程很简单。通过改变其结晶度，可使本专利技术优选实施例电子元件之结构部件的热胀系数等于所述基片的热胀系数。而且，本专利技术电子元件的结构部件不会导致电极的腐蚀。用于结构部件的树脂材料具有较高的可加工性。用激光方法或光刻方法就可加工这种结构部件。因而，可对这种结构部件进行高速和高可靠性的精细加工。这有利于减小电子元件的尺寸。况且，由于所述树脂材料的性能，使得它不会对基片造成伤害。在本专利技术各优选实施例的电子元件中，所述结构部件与具有至少一个压电振动部分和连接部分的基片相互接合。因此，可以减小电子元件的尺寸和高度，并使制造成本大大降低。从以下结合附图对本专利技术各优选实施例的描述，将使本专利技术的上述以及其它的元件、特征、特点、步骤和优点将变得显而易见。附图说明图1是本专利技术一种优选实施例电子元件的平面图；图2是本专利技术一种优选实施例电子元件的剖面图；图3A-3D示意地表示出形成本专利技术一种优选实施例电子元件的基片的工艺流程；图4A-4C示意地表示出形成本专利技术一种优选实施例电子元件之结构部件的工艺流程；图5A-5D示意地表示出形成本专利技术一种优选实施例电子元件的工艺流程；图6是本专利技术另一优选实施例电子元件的平面图；图7是本专利技术另一优选实施例电子元件的剖面图；图8A和8B示意地表示出形成本专利技术一种优选实施例电子元件的另一种结构部件的工艺流程；图9是本专利技术又一种优选实施例电子元件的平面图；图10是本专利技术又一种优选实施例电子元件的剖面图；图11A和11B示意地表示出形成本专利技术一种优选实施例电子元件之结构部件的工艺流程；图12A-12C示意地表示出形成本专利技术一种优选实施例的另一种电子元件的工艺流程；图13是本专利技术再一种优选实施例电子元件的剖面图；图14是本专利技术再一种优选实施例电子元件的剖面图。具体实施例方式下面参照附图详细描述本专利技术的优选实施例。图1是本专利技术一种优选实施例电子元件的示意平面图。图2是沿图1中A-A线所取的剖面图。以下参照图1和2，一种电子元件50包括基片1和结构部件4。在所述基片1上设有多个IDT电极2和连接部分3。各连接部分3与IDT电极2电连接。从而实现所需的功能。另外，各IDT电极2上还设有电极，这些具有适于所需功能的多个图案及膜厚。所述各图案不限于IDT电极2。还可将这些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：岩本敬，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：