【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微机电系统(MEMS)谐振器,更具体而言,本专利技术涉及利用拉伸/压缩应变来调节MEMS谐振器的谐振频率的装置。
技术介绍
很长时间以来人们就认识到使用诸如硅的单晶体半导体作为机械材料的优点。例如,其强度和高本征品质因素使得它非常适合于MEMS谐振装置。作为集成电路衬底它通常是方便得到的并且可以利用IC产业开发的方法进行处理。最近,多晶质硅,或者简称为多晶硅,是形成MEMS谐振器的优选材料。这种材料之所以具有优点是由于其易于在集成电路中使用(经常用作晶体管门电路),在几何形状方面具有灵活性,并且易于使用。MEMS谐振器现在被开发用于信号滤波和用作振荡器中的时钟。但是,对于MEMS谐振器,由于处理偏差,谐振器的谐振频率在制造过程之后通常与期望的值不同。这样,尽管可能期望有一个谐振频率为1GHz的MEMS谐振器,但是在实际的制造过程中,很难制造出谐振频率正好为1GHz的MEMS谐振器。影响谐振频率的一个主要参数是谐振器的尺寸。虽然有后续制造技术,例如可被用于调节尺寸从而调节MEMS谐振器谐振频率的激光微调,但是这种激光微调也难于准确地控制。所以,精确 ...
【技术保护点】
一种方法,包括:制造具有第一端和第二端的谐振器梁,所述谐振器梁通过所述第一端和所述第二端悬置在衬底上方,所述谐振器梁具有连接到致动器的第一端;以及利用所述致动器向所述谐振器梁施加致动力以向所述谐振器梁上施加应变。
【技术特征摘要】
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