一种盆式绝缘子制造技术

本实用新型专利技术公开了一种盆式绝缘子，其包括中心导体嵌件及绝缘体，所述中心导体嵌件与导体连接，所述导体与所述绝缘体间的区域填充有绝缘气体，其还包括屏蔽罩，所述屏蔽罩、绝缘体及绝缘气体之间形成三交区域；其中，所述屏蔽罩包括依次平滑相连的第一部、第二部及第三部；所述第一部与所述导体连接；所述第二部呈向所述绝缘体侧凹陷的凹槽状；所述第三部由所述第二部的边缘向所述导体所在侧延伸。本实用新型专利技术通过设置屏蔽罩，特别是屏蔽罩的“凹槽”设计，使三交区域处于屏蔽区域内，消除楔形间隙的影响，降低三交区域的场强，改善整体的电场分布，降低盆式绝缘子发生沿面闪络的风险。降低盆式绝缘子发生沿面闪络的风险。降低盆式绝缘子发生沿面闪络的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种盆式绝缘子


[0001]本技术涉及高压开关设备领域，特别涉及高压开关设备领域中的盆式绝缘子。

技术介绍

[0002]盆式绝缘子在GIS或GIL开关设备中，起着隔离气室，连接支撑导体及绝缘等作用。盆式绝缘子作为GIS或GIL中的薄弱环节，其表面闪络是开关设备失效的重要原因。为保证GIS开关设备的可靠运行，盆式绝缘子在设计时不仅要考虑其结构上的机械强度，也要保证其电气性能的可靠性，考虑绝缘件、绝缘件表面、导体表面及壳体表面的电场分布均匀性。
[0003]目前针对盆式绝缘子及其组件的电场分析主要集中关注盆式绝缘子表面、中心导体屏蔽罩，盆式绝缘子与地电位壳体三交点处的电场分布，而很少关注导体、盆式绝缘子的绝缘体及绝缘气体间形成的三交区域电场分布。
[0004]导体与绝缘体之间形成的三交区域电场分布同样重要，导体与绝缘体的连接处若设计不当，容易留有弧状楔形气隙，楔形气隙的存在，使该气隙区域的电场较高，容易发生局部放电现象。而且该区域容易残留安装金属屑或其他杂质等，也会引起表面闪络。如图1所示是某420kV盆式绝缘子的结构设计(局部)，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种盆式绝缘子，其包括中心导体嵌件及绝缘体，所述中心导体嵌件与导体连接，所述导体与所述绝缘体间的区域填充有绝缘气体，其特征在于：还包括屏蔽罩，所述屏蔽罩、绝缘体及绝缘气体之间形成三交区域；其中，所述屏蔽罩包括依次平滑相连的第一部、第二部及第三部；所述第一部与所述导体连接；所述第二部呈向所述绝缘体侧凹陷的凹槽状；所述第三部由所述第二部的边缘向所述导体所在侧延伸。2.如权利要求1所述的一种盆式绝缘子，其特征在于：沿所述绝缘体的径向，所述第二部的最低点比第一部的最低点低出2～10mm。3.如权利要求1所述的一种盆式绝缘子，其特征在于：沿所述屏蔽罩的截面，所述第一部呈平直状；所述导体中形成有对应于所述第一部的安装阶孔，所述第一部与所述安装阶孔的孔壁连接。4.如权利要求3所述的一种盆式绝缘子，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雪如，张建宏，王振良，
申请(专利权)人：麦克奥迪厦门智能电气有限公司，
类型：新型
国别省市：