本发明专利技术提供可以抑制特性变坏的弹性表面波元件、弹性表面波装置、双工器以及弹性表面波元件的制造方法。本弹性表面波元件的特征在于，具有压电性基板和在压电性基板上形成的ＩＤＴ电极，压电性基板的体积阻抗率大于等于３．６×１０↑［１０］Ω.ｃｍ，小于等于１．５×１０↑［１４］Ω.ｃｍ。这样的弹性表面波元件，具有体积阻抗率低的压电性基板，其体积阻抗率被降低到小于等于１．５×１０↑［１４］Ω.ｃｍ。所以，在这种弹性表面波元件上，由于可以抑制在ＩＤＴ电极之间发生放电，所以可明显地抑制特性恶化的事态发生。另外，由于压电性基板的体积阻抗率大于等于３．６×１０↑［１０］Ω.ｃｍ，所以可避免ＩＤＴ电极之间发生短路的事态发生。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及弹性表面波元件、弹性表面波装置、双工器以及弹性表面波元件的制造方法。
技术介绍
由于用于弹性表面波装置的压电性基板具有热电性，所以在加热处理或使用时将压电性基板升温到80℃以上的情况下，在基板表面上产生不均匀的电荷分布这一点是为人所知的。在产生这样的不均匀的电荷分布的情况下，在基板上形成的多个的梳齿形电极(以下称“IDT电极”)之间产生电位差，发生用于缓和该电位差的放电。这样，由于该放电，造成IDT电极熔融，装置的频率特性从所希望的频率特性发生偏移，或者发生短路不良这些所谓的特性变差。例如，在制造后进行的外观检查中，有时在3成以上的弹性表面波装置可以确认到IDT电极的熔融。特别是，为了使对应频率到达高频，在紧密地形成有IDT电极的近年的弹性表面波装置上，容易发生由于这样的放电引起的IDT电极的熔融状况。那样，改善了压电性基板的不均匀电荷分布的弹性波装置在特开平10-107573号公报、特开平10-163802号公报、特开平10-126207号公报以及特开2001-168676号公报进行了公示。即，在特开平10-107573号公报中，公示了在基板和IDT电极之间形成了具有规定阻抗值的底层的弹性表面波装置。另外，在特开平10-163802号公报中，公示了在IDT电极上形成了具有规定阻抗值的保护层的弹性表面波装置。另外，在特开平10-126207号公报中，公示了在IDT电极上形成了具有规定阻抗值的半导体层的弹性表面波装置。另外，在特开2001-168676号公报中，公示了在IDT电极之间的基板表面进行了掺杂的弹性波装置。但是，在上述从前的弹性表面波装置中存在以下的问题。即，以高精度而均匀地控制在压电性基板形成的底层、保护层以及半导体层各自的厚度或者向压电性基板掺杂的深度是非常困难的。所以，在许多的情况下，底层、保护层以及半导体层的各自的厚度或者掺杂的深度不均匀，由于这样的不均匀性，底层等为了电荷分布均匀化而不能充分发挥功能。所以，在从前的弹性表面波装置上，不能充分抑制IDT电极由于放电发生熔融的事态。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决以上的课题，以提供可以抑制特性变坏的弹性表面波元件、弹性表面波装置、双工器以及弹性表面波元件的制造方法为目的的。涉及本专利技术的弹性表面波元件，其特征在于，具有压电性基板、在压电性基板上形成的IDT电极，压电性基板的体积阻抗率大于等于3.6×1010Ω·cm，小于等于1.5×1014Ω·cm。这样的弹性表面波元件，具有体积阻抗率低的压电性基板，其体积阻抗率小于等于1.5×1014Ω·cm。在压电性基板的体积阻抗率低到这种程度情况下，即使在体积阻抗率大于等于1015Ω·cm的从前基板上产生的不均匀电荷分布的条件下，专利技术者们也首先发现了电荷均匀分布的现象。所以，在这种弹性表面波元件上，由于可以抑制在IDT电极之间发生的放电，所以可以明显地抑制特性恶化。另外，由于压电性基板的体积阻抗率大于等于3.6×1010Ω·cm，所以可以避免IDT电极之间发生短路。另外，在压电性基极上，添加Fe、Mn、Cu以及Ti中的至少一种添加物是优选的。通过选择上述添加物，可以降低压电性基板的阻抗率。另外，添加物的添加率小于等于1.24wt％是优选的。在这种情况下，可以得到具有大于等于3.6×1010Ω·cm的体积阻抗率的压电性基板。另外，压电性基板主要由钽酸锂构成是优选的。另外，IDT电极具有高取向性、由Al、Al合金构成是优选的。在这种情况下，IDT电极具有高耐功率性。涉及本专利技术的弹性表面波装置，其特征在于，具备拥有压电性基板、在压电性基板上形成的IDT电极，而压电性基板的体积阻抗率大于等于3.6×1010Ω·cm，小于等于1.5×1014Ω·cm的弹性表面波元件；和在搭载前述弹性表面波元件的面上形成有与前述IDT电极进行电气连接的电极端子的实装基板。这样的弹性表面波装置，具有体积阻抗率低的压电性基板，其体积阻抗率小于等于1.5×1014Ω·cm。在压电性基板的体积阻抗率低到这种程度情况下，即使在体积阻抗率大于等于1015Ω·cm的从前的基板上产生的不均匀电荷分布的条件下，专利技术者们也首先发现了电荷均匀分布的现象。所以，在这种弹性表面波装置上，由于可以抑制在IDT电极之间发生的放电，所以可以明显地抑制特性恶化。另外，由于压电性基板的体积阻抗率大于等于3.6×1010Ω·cm，所以可以避免IDT电极彼此之间发生短路。本专利技术的双工器，其特征在于，具备拥有压电性基板、在压电性基板上形成的IDT电极，而压电性基板的体积阻抗率大于等于3.6×1010Ω·cm，小于等于1.5×1014Ω·cm的弹性表面波元件。该双工器具备体积阻抗率低的压电性基板，其体积阻抗率小于等于1.5×1014Ω·cm。在压电性基板的体积阻抗率低到这种程度的情况下，即使在体积阻抗率大于等于1015Ω·cm的从前基板上产生的不均匀的电荷分布的条件下，专利技术者们也首先发现了均匀电荷分布的现象。所以，在这种双工器上，由于可以抑制在IDT电极之间发生的放电，所以可以明显地抑制特性恶化。另外，由于压电性基板的体积阻抗率大于等于3.6×1010Ω·cm，所以可以避免IDT电极彼此之间发生短路。本专利技术的弹性表面波元件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤在添加了Fe、Mn、Cu以及Ti中的至少一种添加物，而体积阻抗率大于等于3.6×1010Ω·cm，小于等于1.5×1014Ω·cm的压电性基板上形成IDT电极。附图说明图1是涉及本专利技术实施方式的弹性表面波装置的简略断面图。图2是表示弹性表面波元件的简略斜视图。图3是表示了形成了弹性表面波元件的电极图案的简略构成图。图4是表示制作图1所示的弹性表面波装置的顺序的图。图5是归纳了改变Fe的添加率而测量体积阻抗率的实验的测量结果的表。图6是归纳了对表面的电位如何随着时间的经过而变化进行了测量的测量结果的表。图7是标出图6表中表示的数据的图。图8是表示本专利技术的实施方式的弹性表面双工器的斜视分解图。图9是归纳了改变Mn的添加率而测量了体积阻抗率的实验的测量结果的表。图10是归纳了改变Cu的添加率而测量了体积阻抗率的实验的测量结果的表。图11是归纳了改变Ti的添加率而测量了体积阻抗率的实验的测量结果的表。具体实施例方式以下，参照附图，对于在实施涉及本专利技术的弹性表面波元件、弹性表面波装置、双工器以及弹性表面波元件的制造方法中被认为是最佳的方式，进行详细地说明。另外，对于同一或者同等的要素加注同一符号，在说明重复时省略其说明。图1是涉及本专利技术实施方式的弹性表面波装置的简略断面图。如图1所示的那样，涉及本专利技术的弹性表面波装置10具有弹性表面波元件12、搭载了该弹性表面波元件的实装基板14、和封入弹性表面波元件12的罩16。在弹性表面波元件12的下面12a上，在3对输入输出电极18上形成有层叠了加厚电极20的衬垫电极22。在搭载了实装基板14的弹性表面波元件12的面14a上，形成用于施加使弹性表面波元件12动作所需的电压的镀金电极(电极端子)24。然后，如图示那样对应的弹性表面波元件12的衬垫电极22与实装基板14的镀金电极24，通过Au突起26进行连接。罩16是将弹性表面波元件12进行密封封入而保护的部件。由将本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种弹性表面波元件，其特征在于，具有压电性基板、在所述压电性基板上形成的ＩＤＴ电极，所述压电性基板的体积阻抗率大于等于３．６×１０↑［１０］Ω.ｃｍ小于等于１．５×１０↑［１４］Ω.ｃｍ。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏武正树，小山内胜则，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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