声界面波装置制造方法及图纸

一种使用边界声波的小尺寸、高性能声界面波装置。通过使滤波器波带锐化，并且在单个衬底上制造波段具有不同特定带宽的谐振器和滤波器，获得所述装置。在声界面波装置（１）中，在单晶衬底（４）上形成固态层（５），并且在单晶衬底（４）与固态层（５）之间设置电极。所述装置（１）包括使用具有相同切割角的单晶衬底（４）形成的边界声波元件（２，３）。边界声波元件（２）的传播方向与边界声波元件（３）的传播方向不同。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种使用边界声波的声界面波装置(boundary acousticwave device)，具体地说，涉及一种具有将电极设置在单晶衬底与固态层之间的边界处结构的声界面波装置。
技术介绍
迄今为止，已经将多种声表面波装置用于移动电话中的RF和IF滤波器、VCO中的谐振器、电视机中的VIF滤波器等。声表面波装置使用沿介质表面传播的声表面波，如瑞利波(Rayleigh wave)或者第一泄漏波(first leaky wave)。然而，由于沿介质的表面传播，声表面波对于介质表面条件的改变比较敏感。因而，为了保护声表面波沿其传播的介质表面，必须将声表面波元件真空密封在具有空腔部分的外壳中，从而面对声波传播表面。由于使用了具有上述空腔部分的外壳，不可避免地会增加声表面波装置的成本。此外，由于外壳的尺寸远大于声表面波元件的尺寸，必然会增大声表面波装置的尺寸。另一方面，在声波中，除上述声表面波之外，还存在沿固体物质之间的边界传播的边界声波。例如，在下述非专利文献1中，披露了在126°旋转Y向成板X向传播LiTaO3衬底上形成IDT，在LiTaO3衬底和IDT上形成具有预定厚度的S本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声界面波装置，使用非泄漏传播型边界声波，它包括使用具有相同切割角的单晶衬底形成的多个边界声波元件，其中，所述各边界声波元件都包含单晶衬底、设置于单晶衬底上的固态层，以及设置在单晶衬底与固态层之间边界处的电极；并且在所述各边界声波元件中，至少一个边界声波元件的边界声波传播方向与至少另一边界声波元件的边界声波传播方向不同。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：神藤始，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]