一种高Qm的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其中频谐振器制造技术

本发明专利技术公开了一种高Ｑ↓［ｍ］的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及用该陶瓷制作的中频谐振器。该无铅压电陶瓷组成成分以式（Ｎａ↓［ｘ］Ｋ↓［１－ｘ＋δ］）Ｎｂ↓［１＋ｚ］Ｏ↓［３］＋ｗｍｏｌＣｕＯ表示，式中０≤ｘ≤１，０≤δ≤０．１，０≤ｚ≤０．２，０≤ｗ≤０．１；所述中频陶瓷谐振器的中心频率为４５５ｋＨｚ，与目前应用的铅基压电陶瓷中频谐振器中心频率一致，其带宽Ｂｗ在１０ｋＨｚ～２５ｋＨｚ，谐振阻抗Ｚ↓［ｒ］＜３００Ω。本发明专利技术压电陶瓷组合物不含铅，且具有高Ｑ↓［ｍ］、高居里温度Ｔ↓［ｃ］和优异的谐振特性、压电／介电特性，陶瓷致密性好，机电耦合系数在较大范围内可调等特点；用该陶瓷组合物制作的谐振器在起振电压范围内频率稳定性好，可广泛应用于电子电气设备中。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有高机械品质因子（Ｑ↓［ｍ］）的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其特征在于，所述的高Ｑ↓［ｍ］的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的组成成分由通式（Ｎａ↓［ｘ］Ｋ↓［１－ｘ＋δ］）Ｎｂ↓［１＋ｚ］Ｏ↓［３］＋ｗｍｏｌＣｕＯ表示，式中０≤ｘ≤１，０≤δ≤０．１，０≤ｚ≤０．２，０≤ｗ≤０．１。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱建国，陈强，肖定全，陈林，余萍，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]