等离子体发生设备和半导体加工设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种等离子体发生设备和半导体加工设备，该等离子体发生设备包括第一框架、第二框架和锁定件；其中，第一框架与线圈固接；第二框架与腔室固接；线圈设置于腔室的外部，用于在线圈通电后，在腔室的内部产生等离子体；第二框架与第一框架相配合，且第二框架与第一框架的至少一部分的配合位置的形状为曲面，以使得第一框架与第二框架之间能够进行沿所述曲面的相对转动；锁定件用于锁定第一框架与第二框架之间的相对转动。利用本实用新型专利技术的等离子体发生设备和半导体加工设备，能够对等离子发生设备中的线圈的水平度进行快速调节。调节。调节。

【技术实现步骤摘要】
等离子体发生设备和半导体加工设备


[0001]本技术涉及半导体
，特别是涉及一种等离子体发生设备和半导体加工设备。

技术介绍

[0002]此处的陈述仅提供与本技术有关的背景信息，而不必然地构成现有技术。
[0003]半导体加工过程中常常会利用到等离子体，因此半导体加工设备常常具有ICP(感性耦合等离子体Inductively Coupled Plasma)装置。
[0004]在使用ICP装置产生等离子体的过程中，一般使用与射频(RF)电源、阻抗匹配网络(impedance matching network)连接的若干组线圈(antenna)来进行电磁感应，通过对腔室气体进行电磁感应来产生等离子体，以便与放置于腔室内的载台上的晶片(也称为晶圆、基片、wafer)进行反应。
[0005]由等离子体的产生和输运过程带来的不均匀性几乎无可避免。其中离子浓度的空间分布与线圈和真空腔室结构有密切联系。
[0006]为此，通常采用特别形状的线圈或者特别设计的腔室结构的方式，来获得反应腔室中的径向(晶片的半径方向)均匀的磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体发生设备，其特征在于，所述设备包括：第一框架、第二框架和锁定件；其中，所述第一框架与线圈固接；所述第二框架与腔室固接；所述线圈设置于所述腔室的外部，用于在所述线圈通电后，在所述腔室的内部产生等离子体；所述第二框架与所述第一框架相配合，且所述第二框架与所述第一框架的至少一部分的配合位置的形状为曲面，以使得所述第一框架与所述第二框架之间能够进行沿所述曲面的相对转动；所述锁定件用于锁定所述第一框架与所述第二框架之间的相对转动。2.根据权利要求1所述的等离子体发生设备，其特征在于：所述第二框架的一面与腔室固接，所述第二框架的另一面与所述第一框架相抵接；在所述第二框架与所述第一框架的至少一部分的接触位置，所述第二框架、所述第一框架之中的一个具有曲面凸起，另一个具有与所述曲面凸起相匹配的曲面凹陷。3.根据权利要求1所述的等离子体发生设备，其特征在于：所述第二框架与所述第一框架的至少一部分的配合位置的形状由一个或多个同一类型的曲面形成、或由一个或多个不同类型的曲面形成。4.根据权利要求3所述的等离子体发生设备，其特征在于：所述曲面的类型包括球面、圆柱面、圆锥面、单叶双曲回转面和双曲抛物面之中的一种或多种。5.根据权利要求4所述的等离子体发生设备，其特征在于：所述第一框架的与所述第二框架相配合的位置被设置为基于一个球面形成的球面凸起，所述第二框架的与所述第一框架相配合的位置被设置为与所述球面凸起相匹配的球面凹陷。6.根据权利要求1到5中任意一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：项习飞，田才忠，林保璋，李士昌，
申请(专利权)人：盛吉盛半导体科技北京有限公司，
类型：新型
国别省市：