一种热释电红外传感器制造技术

一种热释电红外传感器，包括电源输入端Vdd、信号输出端Vout、接地端GND、敏感元芯片、N沟道结型场效应管Q1、电阻R1、电阻R2、电容C1和电容C2。N沟道结型场效应管Q1的栅极与敏感元芯片的第一端连接，漏极分别与电容C2的一端、电阻R2的一端和信号输出端Vout连接，源极分别与电容C1的一端和电阻R1的一端连接。电容C2的另一端与电阻R2的另一端的共接点连接电源输入端Vdd。敏感元芯片的第二端、电容C1的另一端和电阻R1的另一端均连接接地端GND。本实用新型专利技术具有较高的放大倍数，成本低，易于装配。易于装配。易于装配。

A pyroelectric infrared sensor

【技术实现步骤摘要】
一种热释电红外传感器


[0001]本技术涉及热释电红外传感器技术。

技术介绍

[0002]热释电红外传感器是一种将红外线辐射信号转变为电信号的探测器。现有的热释电红外传感器主要采用结型场效应管源极跟随器进行电流放大，信号电压基本上以1:1的方式输出，后续采用外部放大器进行滤波放大处理，而内置电压放大器的热释电传感器，一般采用运算放大器对信号进行放大，运算放大器芯片的价格较高，同时还需要配置相关的电阻、电容等元件来组成放大电路，不仅导致制造成本较高，而且也增加了产品装配的复杂性。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题在于提供一种具有较高的放大倍数、成本低、易于装配的热释电红外传感器。
[0004]根据本技术一实施例的一种热释电红外传感器，包括电源输入端Vdd、信号输出端Vout、接地端GND、敏感元芯片、N沟道结型场效应管Q1、电阻R1、电阻R2、电容C1和电容C2；N沟道结型场效应管Q1的栅极与敏感元芯片的第一端连接，N沟道结型场效应管Q1的漏极分别与电容C2的一端、电阻R2的一端和信号输出端Vout连接，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热释电红外传感器，其特征在于，包括电源输入端Vdd、信号输出端Vout、接地端GND、敏感元芯片、N沟道结型场效应管Q1、电阻R1、电阻R2、电容C1和电容C2；N沟道结型场效应管Q1的栅极与所述敏感元芯片的第一端连接，N沟道结型场效应管Q1的漏极分别与电容C2的一端、电阻R2的一端和信号输出端Vout连接，N沟道结型场效应管Q1的源极分别与电容C1的一端和电阻R1的一端连接； 电容C2的另一端与电阻R2的另一端的共接点连接电源输入端Vdd；所述敏感元芯片的第二端、电容C1的另一端和电阻R1的另一端均连接接地端GND。2.根据权利要求1所述的一种热释电红外传感器，其特征在于，电容C1的电容量为微法级别，电容C1的电容量为电容C2的电容量的10倍以上。3.根据权利要求2所述的一种热释电红外传感器，其特征在于，电容C1的电容量为电容C2的电容量的1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洁伟，于磊，周云，
申请(专利权)人：上海尼赛拉传感器有限公司，
类型：新型
国别省市：