双频段电感复用的射频CMOS低噪声放大器制造技术

一种双频段电感复用的射频ＣＭＯＳ低噪声放大器，属于射频低噪声放大器的技术领域。该放大器在背景技术的双频段低噪声放大器的基础上将放大５．２ＧＨｚ信号的模式改成了共栅放大模式，去除一个电感，增加一个由ＭＯＳ管构成的５．２ＧＨｚ使能电路，５．２ＧＨｚ输出信号从与２．４ＧＨｚ信号输出端分开的５．２ＧＨｚ信号输出端输出。该放大器有噪声低、功耗小和面积小等优点，特别适于在无线通信设备中作前端放大器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种双频段电感复用的射频CMOS低噪声放大器，属 于射频低噪声放大器的

技术介绍
近年来，随着射频集成电路的迅速发展，日常生活中无线通讯产 品的使用日趋频繁900MHz GSM移动电话，2.4GHz的蓝牙通信， 4.9GHz的公众安全通信系统，5.2GHz的无线局域网等。在这些产品 中无线接收机模块前端的重要部分是射频低噪声放大器(Radio Frequency Low Noise Amplifier,简称RFLNA)。它的作用是将通过天 线接收到的微弱信号进行放大，同时尽可能的降低射频低噪声放大器 本身的噪声，以及尽可能的提高增益，以便接收机的后续模块进行处 理。由于射频低噪声放大器是除了天线以外整个接收机，同时也是整 个系统中最先处理无线信号的模块，其特性指标会对整个接收机的性 能有重要影响。因此提高射频低噪声放大器的各项指标是十分必要 的。描述射频低噪声放大器性能的主要参数有电压增益、输入损耗、 输出损耗、反向隔离度、线性度和噪声。由于这些参数是相互关联、 相互制约的，因此采用何种折衷方案来提高射频低噪声放大器的整体 性能成了接收机设计的主要难点。Zh本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双频段电感复用的射频ＣＭＯＳ低噪声放大器，含第一ＭＯＳ管（Ｍ１），第二ＭＯＳ管（Ｍ２），第一电感（Ｌ１），第二电感（Ｌ２），第三电感（Ｌ↓［ｓ］），第四电感（Ｌ↓［ｇ］），电阻（Ｒ↓［Ｂ］），第一电感（Ｌ１）、第二电感（Ｌ２）、第二ＭＯＳ管（Ｍ２）、第一ＭＯＳ管（Ｍ１）和第三电感（Ｌ↓［ｓ］）串联后跨接在电源正端（ＶＤＤ）和电源负端（ＧＮＤ）之间：第一电感（Ｌ１）的一端与电源正端（ＶＤＤ）连接，第一电感（Ｌ１）的另一端与第二电感（Ｌ２）的一端连接，第二电感（Ｌ２）的另一端与第二ＭＯＳ管（Ｍ２）的漏极连接在一起作为２．４ＧＨｚ输出信号的输出端（Ｖ↓［ｏｕｔ，２．４］），第二ＭＯＳ管（Ｍ２）的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马和良，陈磊，赖宗声，张润曦，雷奥，何伟，徐萍，张勇，李斌，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]