一种WS2/MoS2二维共格异质结网络材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种WS2/MoS2二维共格异质结网络材料及其制备方法，通过化学气相沉积法，将2H相的单晶MoTe2层进行硫化反应得到硫化产物,将所述硫化产物与钨源和硫粉反应进行生长，得到所述WS2/MoS2二维共格异质结网络材料。通过对相变生成的大面积单晶2H相的MoTe2进行硫化，利用硫化过程中因原子替代反应导致的内在应力的释放，在生成的MoS2中产生高密度的缝隙，进一步在缝隙中生长取向一致的WS2，从而获得尺寸可大于100μm的大面积的，高质量的WS2/MoS2二维共格异质结网络材料。此方法操作简单，可重复性高，获得结构面积大，成本低，填补了目前二维共格异质结生长中小面积，区域不可控的技术空缺，具有显著意义。具有显著意义。具有显著意义。

【技术实现步骤摘要】
一种WS2/MoS2二维共格异质结网络材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于光学或电学器件材料领域，涉及一种二维共格异质结网络材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]二维异质结构因其超晶格中非凡的光学和电子特性以及人工可调性而引起了科学家们极大的研究兴趣。一方面，通过范德华力垂直堆叠过渡金属二元卤化物(TMDs)可以通过控制堆叠顺序或扭曲角度来调整特性，最近在扭曲的TMDs中观察到了莫尔超晶格激子态，为新的量子电子学和光电子学的研究打开了大门。另一方面，由于具有相似的蜂窝晶格结构，可以通过接合TMDs形成横向异质结构，从而实现电子和光电特性工程以及更高性能器件的制造，例如晶体管、P二极管、增强型光电探测器等。并且对于共格异质结构，异质结构界面处的原子共享相同的晶格，因此可以承受两种不同材料之间晶格失配造成的应力，为通过应变工程调整二维异质结构的性质提供了一种新的研究工具。
[0003]目前已经报道了几种合成二维共格异质结构的方法。尽管存在约4％的较大晶格失配，采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法成功合成了共格二硫化钨(W本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种WS2/MoS2二维共格异质结网络材料的制备方法，其特征在于，通过化学气相沉积法，将2H相的单晶MoTe2层进行硫化反应得到硫化产物,将所述硫化产物与钨源、硫粉反应进行生长，得到所述WS2/MoS2二维共格异质结网络材料。2.根据权利要求1所述的一种WS2/MoS2二维共格异质结网络材料的制备方法，其特征在于，硫化反应在惰性气体氛围下反应，硫化反应的温度为500
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800℃，硫化反应的时间为5
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60min。3.根据权利要求1所述的一种WS2/MoS2二维共格异质结网络材料的制备方法，其特征在于，在惰性气体氛围下以惰性气体为载气将硫粉与硫化产物和钨源进行反应，反应的温度为760
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850℃，反应时间为2
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5min；载气的流速为10
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60sccm。4.根据权利要求1所述的一种WS2/MoS2二维共格异质结网络材料的制备方法，其特征在于，所述钨源为三氧化钨。5.根据权利要求1
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4任一项所述的一种WS2/MoS2二维共格异质结网络材料的制备方法，其特征在于，所述硫化产物与钨源和硫粉反应中，钨源中混合加入氯化钠，所述氯化钠与钨源的物质的量之比为1:(1.5
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗正汤，刘宏伟，
申请(专利权)人：香港科技大学，
类型：发明
国别省市：