一种同轴结构微波等离子体镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种同轴结构微波等离子体镀膜设备，属于等离子体技术领域，包括有真空腔室，同轴微波源系统，所述同轴微波源系统通过馈入结构将特定频率和模式的能量馈入指定反应区域产生等离子体，并将工作气体沉积于所述空心圆柱衬底内测，完成材料的镀膜过程。本实用新型专利技术可根据实际空心圆柱衬底区域完成匹配，成膜效率高，成膜质量好。其采用同轴结构的特殊镀膜结构，可实现对铜、铁、铝、金、银等各种金属材料或复合金属材料空心圆柱体的内部镀膜，且该系统可针对实际的镀膜场景对内导体、玻璃管及密封系统灵活调节，可轻松满足各种生产需求。种生产需求。种生产需求。

A coaxial microwave plasma coating equipment

【技术实现步骤摘要】
一种同轴结构微波等离子体镀膜设备


[0001]本技术涉及一种表面镀膜技术，尤其涉及一种同轴结构微波等离子体镀膜技术。

技术介绍

[0002]二十世纪七十年代以来，伴随着传统行业的革新与新兴产业如新能源产业、航空航天、生命科学的蓬勃发展，对材料结构与性能的要求愈发严苛，薄膜技术得到飞速发展，薄膜材料的制备与性能优化成为当下研究热点之一。
[0003]化学气相沉积(CVD)法利用含有待制备薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质，在气态条件下发生化学反应形成固态物质沉积于衬底表面生成薄膜的方法。化学气相沉积技术主要包括热丝CVD法、直流热阴极等离子体CVD法、直流电弧等离子体喷射CVD法即微波等离子体CVD法。热丝CVD法装置相对简单，成本较低，容易实现大面积沉积，但制备的薄膜质量较低且沉积速率相对较慢。电极材料在沉积过程中对薄膜造成的污染是直流热阴极等离子体CVD法和直流电弧等离子体喷射CVD法需要克服的难点问题。微波等离子体CVD法为无极放电，可避免电极污染。高微波功率可产生高能量密度等离子体，获得相对高的原子浓度，广泛应用于高质量膜的制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同轴结构微波等离子体镀膜设备，其特征在于：包括微波电源(1)、磁控管(2)、环形器(3)、矩形波导(4)、模式转换器(5)、同轴波导(6)、内导体(7)、排气口(8)、进气口(9)、空心圆柱衬底(10)、压力控制装置(11)、石英管(12)、密封装置(13)、真空腔室(14)；所述空心圆柱衬底(10)、石英管(12)与所述密封装置(13)组成真空腔室(14)；所述进气口(9)开设于密封装置(13)的下端，且排气口(8)开设于另一端的密封装置(13)的上侧；所述压力控制装置(11)安装于进气口(9)的上端；所述石英管(12)设于内导体(7)的外侧，且放置于真空腔室(14)内部，并与密封装置(13)相连；所述同轴波导(6)安装于密封装置(13)的两侧，通过内导体(7)与模式转换器(5)端部相连接；所述模式转换器(5)的另一端口与矩形波导(4)连接；所述环形器(3)安置于矩形波导(4)和磁控管(2)之间；所述微波电源(1)安装于磁控管(2)的底部。2.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：卫新宇，陈龙威，张文瑾，林启富，刘成周，江贻满，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：新型
国别省市：