一种IGBT噪声去除电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种ＩＧＢＴ噪声去除电路，其高端驱动信号输入端与高端ＩＧＢＴ＿Ｈ的基极之间设置一个由电阻Ｒ１和二极管Ｄ１构成的并联电路，其中高端驱动信号输入端与二极管Ｄ１的负极相连接；低端驱动信号输入端与低端ＩＧＢＴ＿Ｌ是基极之间设置一个由电阻Ｒ２和二极管Ｄ２构成的并联电路，其中低端驱动信号输入端与二极管Ｄ１的负极相连接；高端ＩＧＢＴ＿Ｈ的发射极与低端ＩＧＢＴ＿Ｌ的集电极连接构成的桥壁反接二极管Ｄ３后接地。本实用新型专利技术元气件少配合到位，可以降低输入信号的干扰，去除电路中的电磁噪声，使得ＩＧＢＴ的驱动更加可靠，并且极大地降低了ＩＧＢＴ以及系统地电磁干扰等特点。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＩＧＢＴ噪声去除电路，其特征在于：高端驱动信号输入端（１）与高端ＩＧＢＴ＿Ｈ的基极之间设置一个由电阻Ｒ１和二极管Ｄ１构成的并联电路，其中高端驱动信号输入端（１）与二极管Ｄ１的负极相连接；低端驱动信号输入端（２）与低端ＩＧＢＴ＿Ｌ是基极之间设置一个由电阻Ｒ２和二极管Ｄ２构成的并联电路，其中低端驱动信号输入端（２）与二极管Ｄ１的负极相连接；高端ＩＧＢＴ＿Ｈ的发射极与低端ＩＧＢＴ＿Ｌ的集电极连接构成的桥壁反接二极管Ｄ３后接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许晓华，季福生，李晓军，
申请(专利权)人：许晓华，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]