闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法技术

本发明专利技术公开了一种闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法，其中所述闪存模块包括至少一闪存芯片，每一闪存芯片包括多个区块，每一区块包括多个页面，以及所述方法包括以下步骤：发送一读取指令至所述闪存模块以请求至少一记忆单元上的数据；自所述闪存模块接收所述至少一记忆单元的多个记忆细胞的多位信息；以及分析所述多个记忆细胞的所述多位信息以取得所述多个记忆细胞的一临界电压分布以供决定一解码程序。总的来说，本发明专利技术的闪存模块能因应读取指令将每一记忆细胞的多位信息输出至所述闪存控制器，且每一记忆细胞的多位信息可指出所述记忆细胞的临界电压或状态。因此，读取效率能被大幅地改善。读取效率能被大幅地改善。读取效率能被大幅地改善。

【技术实现步骤摘要】
闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法
[0001]本申请是申请日为2019年07月17日、申请号为201910647337.4、专利技术创造名称为“闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法”的中国专利技术申请的分案申请。


[0002]本专利技术是关于闪存的存取控制，尤指一种用来进行闪存模块的存取管理的方法、相关的闪存控制器以及电子装置。

技术介绍

[0003]近年来由于存储器的技术不断地发展，各种可携式或非可携式记忆装置(例如：分别符合SD/MMC、CF、MS、XD及UFS标准的记忆卡；又例如：固态硬盘(solid state drive,SSD)；又例如：分别符合UFS及EMMC规格的嵌入式(embedded)记忆装置)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的存储器的存取控制遂成为相当热门的议题。
[0004]以常用的NAND型闪存而言，其主要可包括单阶细胞(single level cell,SLC)与多阶细胞(multiple level cell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(memory本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存控制器，其中所述闪存控制器耦接至一闪存模块，所述闪存模块包括至少一闪存芯片，每一闪存芯片包括多个区块，每一区块包括多个页面，所述闪存控制器的特征在于，包括：一存储器，用来存储一程序代码；以及一微处理器，用来执行所述程序代码以通过一控制逻辑电路来存取所述闪存模块；其中在所述微处理器发送一读取指令至所述闪存模块以请求至少一记忆单元上的数据以后，所述控制逻辑电路自所述闪存模块接收所述至少一记忆单元的多个记忆细胞的多位信息，其中所述至少一记忆单元的每一记忆细胞是用来存储多个位，每一记忆细胞具有多个状态，所述多个状态是用来指出所述多个位的不同组合，每一状态是区分为多个子状态，以及每一记忆细胞的所述多位信息是用来指出所述记忆细胞具有哪一个子状态；以及所述控制逻辑电路分析所述多个记忆细胞的所述多位信息以取得所述多个记忆细胞的一临界电压分布以供决定所述控制逻辑电路中的一解码器采用一第一解码方法或是一第二解码方法来进行解码。2.如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于，所述控制逻辑电路分析所述多个记忆细胞的所述多位信息以取得所述多个记忆细胞的所述临界电压分布的多个谷值高度以供决定所述控制逻辑电路中的所述解码器采用所述第一解码方法或是所述第二解码方法来进行解码。3.如权利要求2所述的闪存控制器，其特征在于，所述第一解码方法是一硬解码方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宗杰，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：