场效应晶体管放大器制造技术

本发明专利技术为一使用场效应晶体管作为放大器件的一场效应晶体管放大器，其包括一同轴介质谐振装置，该同轴介质谐振装置被接在放大器的输入端与放大器件的输入端之间，并具有λ／２电学长度及比从放大器的输入端到放大器件的输入端的输入端阻抗低的一特性阻抗。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用场效应晶体管(以下指FET)的放大器，而更具体地涉及一种FET放大器，其被作为卫星通讯或诸如此类的低噪声放大器使用，从而通过使用压缩电路来实现宽频带内的减噪。在用于卫星通讯的低噪声放大器中，从卫星到达地面的无线电波由于在卫星与地面之间的无线电波传播路径内的衰减或受卫星本身的发射能力的限制而变得很弱。由于这个原因，放大器自身产生的噪声需要被减至最小。在目前的卫星通讯中，所使用的频带随着通讯业务量的增加而加宽，从而放大器也必须适应一个宽频带。因此，FET放大器必须具有一个能够同时满足这两个要求的电路结构。为满足这些要求，已通过改进FET放大器的输入端电路做了些研究。通常，如附图说明图1所示，当一个无耗匹配电路M1与FET1的输入端相联时，FET1的噪声系数是由输入电路的源导纳(Ys＝Gs+jBs)确定的，如下面公式所示F＝F0+Rn/Gs(Gs-G0)2+(Bs-B0)2F由输入电路确定的噪声系数F0最佳的噪声系数Rn等效输入噪声电阻G0给出最佳噪声系数的电导B0给出最佳噪声系数的电纳Gs输入电路的电导(源电导)Bs输入电路的电纳(源电纳)为了在此公式的基础上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用场应效晶体管作为放大器件的场效应晶体管放大器，其特征在于其包含一个同轴介质谐振装置，并接在所述放大器的输入端和所述放大器件的输入端之间，还具有λ／２的电学长度及比从所述放大器的所述输入端到所述放大器件的输入端的输入端阻抗低的特性阻抗。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：望月拓志，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]